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hyperphysics.phy-astr.gsu.eduElement, Work Function(eV). Aluminum. 4.08. Beryllium. 5.0. Cadmium. 4.07. Calcium. 2.9. Carbon. 4.81. Cesium. 2.1. Cobalt. 5.0. Copper. 4.7. Gold. 5.1. Iron ...瀏覽：1337
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陰極必須是一個低功函數的金屬. – 陽極則需要用一個高功函數的材料去配合，才. 可得到最低的注入能障。 陰極功函數對於電子注入的影響程度. • Stossel et al.以真空 ......
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德鍵電子提供多種電流感應產品，符合電子工業及軍用標準，如運用薄膜/厚膜技術的 電流感測 ... 元器件 ......
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日期：2024-11-15
10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......
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日期：2024-11-09
出刊號 內 容 索 引 第39期 國家奈米元件實驗室 主任的話 關於NDL 育才 服務 研發 先進半導體製程服務平台簡介 最新論文資訊 一維奈米針矩陣的製作與特性分析...
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