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日期:2024-08-29
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生
的,是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。...
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日期:2024-08-31
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生
的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。......
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日期:2024-09-02
Latch-up 閂鎖效應, 又稱寄生PNPN效應或可控矽整流器( SCR, Silicon Controlled
Rectifier ) 效應. 在整體矽的CMOS 管下, 不同極性攙雜的區域間都會構成P-N結, ......
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日期:2024-08-29
Latch-up 閂鎖效應, 又稱寄生PNPN效應或可控矽整流器( SCR, Silicon Controlled
... 防止CMOS電路設計中Latch-up效應的產生已成為IC設計界的重要課題....
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日期:2024-09-02
2010年9月26日 ... 提纲1、闩锁效应闩锁效应是指CMOS 器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在
电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常 ......
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日期:2024-08-30
2010年7月30日 ... CMOS中的latch-up问题来源于其寄生的NPN与PNP双极晶体管形成的PNPN结构,
具体的闩锁效应产生原理的分析,可以以一对反相器为例(如下图 ......