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![奈米通訊。第六卷第四期30.銅製程之擴散阻障層 - 國家奈米元件實驗室]()
www.ndl.narl.org.tw銅製程之擴散阻障層. 吳文發1、黃麒峰2. 1國家奈米元件實驗室副研究員、2清華大學 材料研究所碩士班研究生. 前言. 積體電路的製作技術已邁入ULSI ...瀏覽：526 -
![電漿處理的鉭擴散阻障層在銅製程的應用 - 國家奈米元件實驗室]()
www.ndl.narl.org.tw本研究主要探討氮氣電漿處理的鉭( Ta ). 擴散阻障層薄膜在銅製程上的熱穩定性，其 . 中分別以片電阻的變化、 X光的繞射分析、. 穿透式電子顯微鏡的觀察以及n+- p接 ...瀏覽：1246
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日期：2024-08-23
然我們發現在銅雙崁刻製程中的銅阻障層和蝕刻停止層(傳統使用矽化氮或矽化碳膜)
可以改善雙崁刻製程的結構，本發明即是以四甲基矽烷(或三甲基)的先驅物加上含 ......
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日期：2024-08-27
本文介紹積體電路(Integrated Circuits)的發展歷程中，擴散阻障層材料的選擇與運用
有哪些相對應的演變與研究。曾廣泛應用於鋁製程的擴散阻障層材料氮化鈦(TiN)， ......
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日期：2024-08-23
出處/學術領域, 中文詞彙, 英文詞彙. 學術名詞 材料科學名詞-金屬材料, 擴散阻礙層；
擴散阻障層, diffusion barrier. 學術名詞 材料科學名詞-金屬材料, 擴散阻礙層；擴散 ......
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日期：2024-08-21
目前絕大多數的業者是選用鉭(Ta)或是鉭的氮化物，即氮化鉭(TaNx)來作為阻障層
材料。其本身除了具備低電阻率的特性外，Ta對於Cu的附著性佳，而TaNx又與一般 ......
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日期：2024-08-20
銅導線的製程整合須要較複雜的結構，以避免銅與元件接觸，擴散阻障層須同時具備
與銅和介電層良好的附著性，以及適合銅沈積的微結構。此篇文章主要在探討作為 ......
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日期：2024-08-27
"吳文發、吳其昌/ 國家奈米元件實驗室歐耿良、周長彬/ 交通大學機械工程研究所 本
研究主要探討氮氣電漿處理的鉭(Ta)擴散阻障層薄膜在銅製程上的熱穩定性，其中 ......
瀏覽：417
日期：2024-08-21
在Cu金屬薄膜沉積之前，化學氣相沉積Ti薄膜阻障層的特性先依序被研究。此外，在
完成Ti薄膜阻障層沉積後，並以NH3氣體進行電漿處理，而形成疊層Ti / TiNx薄膜。...
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