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![半導體製程及原理]()
www2.nsysu.edu.tw半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...瀏覽：847 -
![電漿與電弧原理 - 中興大學教職員工網頁]()
web.nchu.edu.tw2006/6/14: 電漿與電弧原理 電漿與電弧原理 報告人 詹振能 葉姿青 林威豪 。 。 兩極距離 ...瀏覽：1216
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日期：2024-09-06
聚丙烯酸鈉 （英文： Sodium polyacrylate 或 acrylic sodium salt polymer ），簡稱ASAP，又稱super-slurper（因為該物可以吸收質量比200到300倍的水分），是一種分子式為[-CH 2 -CH(COONa)-]反覆的 聚合物 ，經常用在消費者產品之中。 丙烯酸 聚合物通常都帶有陰性電荷 ......
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日期：2024-09-03
原理簡介. 一般固體材料依導電情形可分為導體、半導體及絕緣體。材料元件內自由
..... 半導體製造不管在矽晶圓、積體電路製造，或是IC晶片構裝，其生產製程相當 ......
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日期：2024-09-07
摻雜縱深分析：可準確地將P-N接面深度(或稱結深)與摻雜濃度分佈描繪出來。最常見的應用為離子植入與植入劑量的分析、發光二極體摻雜濃度與分佈分析，藉由相對標準品的量測，摻雜元素所在的接面深度可被清楚地定義出來。...
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日期：2024-09-09
一般而言，離子佈植機的構造主要包括下列的系統：離子源（ion source）、分析 ... 其中離子源係為產生各種離子的基本設備，其工作原理係將靶材物質游離，使其形成帶 ......
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日期：2024-09-08
2. 目標. ‧列出至少三種常用的掺雜物. ‧指出三種掺雜區域. ‧描述離子佈植的優點. ‧ 描述離子佈植機的主要部份. ‧解釋通道效應. ‧說明離子射程與離子能量的關係. ‧解釋需 ......
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日期：2024-09-06
這些元素藉由熱擴散法或離子植入法摻入矽中，目前以離子植入法為主流。 雜質摻入 .... 絕緣層的產生，也就是氧的植入等，需要使用高能量離子植入機。此外，源極/汲 ......
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日期：2024-09-07
在所有半導體元件中，離子植入是電晶體結構中一項相當重要的技術。在離子植入 過程中， .... 離子佈植原理是將所需的注入元素電離成正離子，並使其獲得所需的量， 以很快的速度射入晶片的技術。 離子佈植之後會 ... 圖七 離子佈植機. 圖八 氧化擴散爐 ......
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日期：2024-09-03
中正大學化工系李元堯Yuan-Yao Li, Chem. Eng., CCU. 半導體製程技術. 此部分的重點，是將目前IC製程技術之作用、基本原理、. 使用設備並且將CMOS的製造流程 ......
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