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![半導體製程及原理]()
www2.nsysu.edu.tw半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...瀏覽：735 -
![半導體製程及原理]()
www2.nsysu.edu.tw原理簡介. 一般固體材料依導電情形可分為導體、半導體及絕緣體。材料元件內自由 ..... 半導體製造不管在矽晶圓、積體電路製造，或是IC晶片構裝，其生產製程相當 ...瀏覽：1406
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離子植入技術的相關商品
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日期：2024-11-09
一般而言，離子佈植機的構造主要包括下列的系統：離子源（ion source）、分析 ... 其中離子源係為產生各種離子的基本設備，其工作原理係將靶材物質游離，使其形成帶 ......
瀏覽：522
日期：2024-11-10
2. 目標. ‧列出至少三種常用的掺雜物. ‧指出三種掺雜區域. ‧描述離子佈植的優點. ‧ 描述離子佈植機的主要部份. ‧解釋通道效應. ‧說明離子射程與離子能量的關係. ‧解釋需 ......
瀏覽：1038
日期：2024-11-09
這些元素藉由熱擴散法或離子植入法摻入矽中，目前以離子植入法為主流。 雜質摻入 .... 絕緣層的產生，也就是氧的植入等，需要使用高能量離子植入機。此外，源極/汲 ......
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日期：2024-11-15
2014年7月1日 - 全新Applied Varian VIISta® 900 3D系統提供無與倫比的離子光束精確度，用於摻雜複雜的鰭式場效電晶體(FinFET)及3D記憶體結構; 獨特離子光束 ......
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日期：2024-11-09
離子植入機將離子賦予一能量直接精準地植入於矽晶片中設計好的區域以及正確的深度，且離子植入機能控制植入於矽晶片內的離子劑量，所使用化學品:BF3,PH3,AsH3,IPA,IPA+水 ......
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日期：2024-11-10
離子植入技術具備永續存在的價值，因為此技術提供可行生產方式，運用先進電池結構使電池效率提高20% ... Varian ......
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日期：2024-11-12
分子摻雜(molecular doping)或集束 離子植入(cluster ion implant)為上述創新技術之一，為以高能量製造超淺接合 ......
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日期：2024-11-15
多年來，離子植入設備供應商主要在產能與擁有成本的差異上進行競爭，邁入32奈米
... 圖一顯示了PTC-II製程與傳統“非晶化前植入製程”(pre-amorphization implant, ...
式植入製程不能執行真正的零度植入，這也驅動了單晶圓高能量離子植入機(single ......
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