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![半導體製程及原理]()
www2.nsysu.edu.tw半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...瀏覽：867 -
![5DE0_半導體製程設備技術 - 五南文化事業機構首頁]()
www.wunan.com.tw半導體製程設備 技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者 楊子明、鍾昌貴、沈志彥、李美儀、吳鴻佑、詹家瑋 出版社別 五南 出版日期 ...瀏覽：1038
離子植入製程的相關文章
離子植入製程的相關公司資訊
離子植入製程的相關商品
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日期：2024-12-21
原理簡介. 一般固體材料依導電情形可分為導體、半導體及絕緣體。材料元件內自由
..... 半導體製造不管在矽晶圓、積體電路製造，或是IC晶片構裝，其生產製程相當 ......
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日期：2024-12-19
硬膜 陽極 無電解鎳 複合鎳鐵氟龍 化學黑鎳 電解拋光 三價鉻化成皮膜 鈦合金 發色 不鏽鋼鈍化 不鏽鋼黑化 鈦合金 ......
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日期：2024-12-18
第二十三章 半導體製造概論 23-5 四、晶圓針測 晶圓針測（Chip Probing；CP）的目的係針對晶片作電性功能上的測試（Test ），以使 IC 在進入封裝前，先行過濾出電性功能不良的晶片，以避免不良品增加製造成本。...
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日期：2024-12-18
摻雜縱深分析：可準確地將P-N接面深度(或稱結深)與摻雜濃度分佈描繪出來。最常見的應用為離子植入與植入劑量的分析、發光二極體摻雜濃度與分佈分析，藉由相對標準品的量測，摻雜元素所在的接面深度可被清楚地定義出來。...
瀏覽：364
日期：2024-12-21
2. 目標. ‧列出至少三種常用的掺雜物. ‧指出三種掺雜區域. ‧描述離子佈植的優點. ‧ 描述離子佈植機的主要部份. ‧解釋通道效應. ‧說明離子射程與離子能量的關係. ‧解釋需 ......
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日期：2024-12-20
這些元素藉由熱擴散法或離子植入法摻入矽中，目前以離子植入法為主流。 雜質摻入 .... 絕緣層的產生，也就是氧的植入等，需要使用高能量離子植入機。此外，源極/汲 ......
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日期：2024-12-23
石英,陶瓷製品及石墨 半導體製程中陶瓷、石英、石墨材質的產品應用甚廣。在這些材質加工及製造成為成品的過程是複雜且有許多必須注意的事情，例如說微粒控制、純度、目視 ......
瀏覽：380
日期：2024-12-19
10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......
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