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2011年2月21日 - 某純矽半導體在溫度T=300K下，假設本質載子濃度1.5x10的10次方單位cm -3次方， 若將半導體參雜(鎵原子)濃度1.5x10的15 ... Mass-Action-Low的公式呢就是下面這條公式...
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n, p 分別是材料的電子濃度與電洞濃度 μn, μp 分別是此材料的 ... 如以下公式: 電阻值R= ρ*(L/A) ρ=電阻 ......
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求熱平衡下之電子電洞濃度帶入公式即可考慮在T=300° K 下矽被磷P摻雜至. Nd= 10. 16 cm. -3 的濃度。 解：....
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P 型半導體的電洞濃度 a p N. ≒. ，電子濃度公式n = 2. 2 i i a n n p. N. ≒ 。 ( C ) 1. 擴散電流形成的原因是？...
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日期：2024-07-20
行動版 - 三種導電性不同的材料比較，金屬的價電帶與導電帶之間沒有距離，因此電子（紅色實心 ... 如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般（類 .... 代表，公式如下：....
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