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日期:2024-08-31
場效電晶體 第一節 結構與特性 一、接面型 FET 1.基本構造 2.JFET的偏壓 3.洩極曲線 4.轉移特性曲線 二、金氧半場效電晶體 1.空乏型MOSFET 2.增強型MOSFET...
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日期:2024-08-25
(3)了解電晶體基本放大電路的類型. (4)熟悉電晶體各種放大模式的特性. (5)能量
測電晶體基本放大電路的交流電壓. 二、使用材料. 三、相關知識. (一)偏壓與工作點....
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日期:2024-08-29
電晶體放大器 一、目的: 了解電晶體放大器的工作原理,並測量電晶體的一些參 數。 二、原理: (一)電晶體放大器的偏壓: 在前面的實驗中我們分析過電晶體的放大作用,並 且估計過如圖l電路的電流放大率和電壓放大率。...
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日期:2024-08-31
運用公式5-12,集極對射極電壓為 第6章 BJT放大器 5電晶體偏壓電路 分壓器偏差 ... 設C1,C2,C3之容抗值Xc在信號頻率下夠低而視為0 。(2)設直流電壓源無內阻,故其兩端無ac壓差,而以接地取代(此稱ac接地)。 圖 6-10(a) * Title 電路 ......
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日期:2024-08-28
希子者,站長也,亦為Seize(理解)之諧音,「理解知識」之意。http://songwriter.tw/blog ... 6-2 小信號等效電路模型 我們在上冊第五章時討論了電晶體的直流偏壓電路,已知偏壓的目的是要建立放大器適當的工作點;一旦有交流小信號輸入,信號便可線性放大。...
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日期:2024-08-26
電晶體放大電路設計還需要考慮的事項有: 電壓 放大率、 輸入阻抗、 輸出阻抗、 輸入輸出電壓的活性變動範圍、 元件的發熱功率的承受、 等. 3. ......
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日期:2024-08-25
了解電晶體放大器的工作原理,並測量電晶體的一些參. 數。 ... 在前面的實驗中我們分析過電晶體的放大作用,並 ..... 計算B、E 之間的動態電阻並加267 mV / IB 比較。...
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日期:2024-08-30
在前一章我們已提過電晶體的三種放大電路(即C-E、C-B、C-C放大電路)這些電路 ... 若電晶體在活動區,求得電流値再把電流値代入公式5-4,即可求得値,如果由,及 ......