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![金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书]()
zh.wikipedia.org金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ...瀏覽：1192 -
![POWER MOSFET - 電力電子應用研究室]()
140.127.114.64電力電子元件POWER MOSFET是為一個三端點元件，其三端分別為閘極、源極及汲 ... 導通，POWER MOSFET的閘源極間存在一個寄生電容，驅動POWER MOSFET ...瀏覽：1115
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日期：2024-08-14
TFT-LCD的製造過程可分為三大階段: 前段Array, 中段Cell以及後段模組組裝。前段
的Array 製程與半導體製程相似，但不同 ......
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日期：2024-08-14
維基百科所有的內容都應該可供查證。 ... 絕緣閘雙極電晶體（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動 ... IGBT結合了場效電晶體閘極易驅動的特性與雙極性電晶體耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常 ......
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日期：2024-08-17
在前一章我們已提過電晶體的三種放大電路（即C-E、C-B、C-C放大電路）這些電路 ... 若電晶體在活動區，求得電流値再把電流値代入公式5-4，即可求得値，如果由，及 ......
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日期：2024-08-12
氧化物薄膜電晶體(Oxide TFT)具有高元件遷移率、高均勻性及大面積製程相容性， ... 及氧化鎵(GaOx)形成IGZO(InGaZnO)電晶體的元件，該元件具有高透光，低製程 ......
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日期：2024-08-16
電晶體驅動能力係超高解析度螢幕發展的重要關鍵。氧化物薄膜電晶體(Oxide TFT)具有高元件遷移率、高均勻性及大面積製程相容性，並有機會達成高穩定性及製程良 ......
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日期：2024-08-11
在電子學中，通道電晶體邏輯（PTL: pass transistor logic），描述了幾個用於集成電路設計的 ... 反相的輸入與非反相的輸入都需要用於驅動通道電晶體的門控制端。...
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日期：2024-08-13
2012年5月4日 - http://a2.sphotos.ak.fbcdn.net/hphotos-ak-ash3/ ... 幾十M 就算很低了← 補充:就小信號的而言。 你的NMOS 在電路中要怎麼接？ 有點擔心這裡還會 ......
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日期：2024-08-15
2010年6月4日 - 電晶體符號. 常見錯誤應用: 直接使用MCU驅動LED是不正確的使用方式，這一種方式驅動LED最大驅動電流(around 20mA)遠低於利用電晶體靠Vcc ......
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