search:電洞阻擋層相關網頁資料
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![不同位置之電子阻擋層對1310-nm磷砷化鎵銦 雷射二極體之影響]()
psroc.phys.ntu.edu.tw擋層，可加入電子或電洞之阻擋層 來抑制載子離開活 性區，使載子可以有效侷限於活性區中。過去曾有文 獻提出在InGaAsP/InP 材料系統中，改變不同的能障 材料來改變井內對載子不同的侷限能力，並且在光侷 ...瀏覽：445 -
![義 守 大 學]()
ethesys.isu.edu.tw摻雜以何種方式為最佳，最後加上一層電洞阻擋層來提升元件效率。 電洞注入材料為m-MTDATA，電洞阻擋層為Bphen，當F4-TCNQ 摻 雜濃度為1%，摻雜區域位於電洞注入層中間，電洞阻擋層厚度為12.5A、時，元件特性最佳。元件結構如下: ITO/m-MTDATA、 ...瀏覽：925
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日期：2024-10-12
... 如此可分別增進電洞與電子之注入。另外，亦可加入電子阻擋層(Electro Blocking Layer， EBL)和電洞阻擋層(Hole Blocking Layer，HBL)，如圖3所示，來平衡電子與電洞數目，增加載子之捕獲與復合能力，及改善元件之發光特性。 OLED的材料...
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日期：2024-10-12
利用原子層沉積法成長二氧化鈦電洞阻. 擋層之獨立讀取有機光偵測器陣列. 學生： 許家齊. 指導教授：洪勝富 ......
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日期：2024-10-12
2009年10月22日 - 當以Ca及Ba為陰極時，加入此電洞阻擋層後最大亮度可達8300 cd/m2、最大效率可達1.7 ......
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日期：2024-10-12
2008年7月21日 - ... 電荷平衡的狀態；另外為達到電荷平衡狀態，在許多元件中也會加入電子／電洞 阻擋層。...
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日期：2024-10-12
4 深藍光元件的改善(八)電洞阻擋層的加入 2002 年石建民博士等人將八 0 ^元件結構進行改良【 77 ] ,並提出 ......
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日期：2024-10-14
中該奈米點包括有SiO2 ；一電洞阻擋層，其係與該第二電極相耦接；以及一主動層， 包. 括有導電高分子P3HT ......
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日期：2024-10-09
元件中選用以ALD成長的TiO2緻密薄膜作為電洞阻擋層，結果顯示TiO2薄膜能夠在正偏與負偏壓下有效抑制 ......
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