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![[CS精選]n-p-n結構提供了高電流下氮化發光二極體(GaN LED)具有高效率表現的希望 - 《半導體科技．先進封裝與 ...]()
ssttpro.acesuppliers.com但是在以氮化矽為材料的LED (nitride-based LED)中則會有不同的情形－氮化鋁鎵(AlGaN) 電流阻擋層 ...瀏覽：1446 -
![4.1 高內部效率的設計4.2 高光萃取效率結構設計4.3 電流分佈的設計]()
memo.cgu.edu.tw侷限層摻雜濃度對雙異質結構雷射在臨界電流 ..... 圖4.90 為使用電流阻擋層的LED 結構之剖面示意. 圖。阻擋層位於上侷限 ...瀏覽：1395
![[CS精選]n-p-n結構提供了高電流下氮化發光二極體(GaN LED)具有高效率表現的希望 - 《半導體科技．先進封裝與 ...](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_01.jpeg)
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日期：2024-07-05
本論文利用銀(Ag)與氮化鎵(GaN)的整流特性，設計不同樣式的反射式電流阻擋層(
Current blocking layer，CBL)運用在p型 ......
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日期：2024-07-07
實驗中分別製作出三種結構來分析，第一種為傳統結構沒有電流阻擋層，第二種為
使用沉積二氧化矽（SiO2）成為電流阻擋層 ......
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日期：2024-07-08
在鍍製p型電極前，可明顯看到電流阻擋層的效果，其發光功率比無電流阻擋層元件
提升了25%。另外增加透明導電層厚度或 ......
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日期：2024-07-06
本實驗探討電流阻擋層對氮化銦鎵發光元件之亮度增益影響。利用蒸鍍與蝕刻的方式
直接在氮化鎵發光元件平台上之電極 ......
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日期：2024-07-08
接著將氮化鋁薄膜做為發光二極體元件電流阻擋層，首先由電壓-電流(I-V)量測可知
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日期：2024-07-09
2012年4月18日 ... 本实用新型公开了一种具有新型电流阻挡层的LED芯片，其特征在于包括：生长衬底；
N-GaN层、发光层 ......
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日期：2024-07-07
【摘要】 電流阻擋層(CBL)可以改善發光二極管(LED)的發光效率和輸出光功率,其
形狀對電流的阻擋作用有影響。本文通過 ......
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日期：2024-07-09
2013年4月4日 ... 摘要: 电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率, 其形状
对电流的阻挡作用....
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