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日期:2024-07-11
電漿的基礎原理 2 目標 • 列出至少三種用到電漿的半導體製程 • 列出電漿中的主要三種碰撞 • 說明平均自由路徑 • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程 • 列出兩 ......
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日期:2024-07-07
電漿輔助化學氣相沉積 Model: PECVD-Clip Series Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 規格: 一. 綜合說明: 腔體上蓋板上掀式設計,手動放置晶片, ......
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日期:2024-07-06
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期:2024-07-11
電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)是CVD技術中的一種,其沈積原理與一般CVD並沒有太大差異。PECVD是使用電漿中化學活性較高的離子與自由基等高能物種來 ......
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日期:2024-07-09
本文先對電漿現象及原理作概述,再針對電漿應用. 到蝕刻、濺鍍及輔助 ... 異,而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%,近幾年由於對鍍膜要. 求的嚴苛, 如 ......
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日期:2024-07-10
ETCH製程所用之關鍵零件提供草酸 陽極、硫酸 陽極、硬質 陽極等 陽極處理,此 陽極 ... 半導體/光電機台零件之超潔淨清洗再生 ......
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日期:2024-07-08
9 CVD應用 薄膜 源材料 Si (多晶) SiH 4 (矽烷) 半導體 SiCl 2H 2 (二氯矽烷;DCS) Si (磊晶) SiCl 3H (三氯矽烷;TCS) SiCl 4 (四氯矽烷;Siltet) LPCVD SiH 4, O 2 SiO 2 (玻璃) PECVD SiH 4, N O 介電質 PECVD Si(OC 2H 5) 4 (四乙氧基矽 ......
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日期:2024-07-10
CVD 原理 (a)反應物以擴散通過介面邊界層。(b)反應物吸附在晶片表面。(c)化學沉積反應發生。(d)部份生成物藉擴散通過介面邊界層。(e)部分生成物與未反應物進入主氣流裡,並離開系統。捷胤工業有限公司...