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![化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)]()
waoffice.ee.kuas.edu.twCVD 原理. ◇反應氣體從反應器的主氣流裏，藉著反應氣體在主氣流及晶片. 表面間的濃度差，以擴散的 .... ◇PECVD利用電漿來幫助化學沉積反應的進行，並降低反應. 發生所需的製程溫度，以 ...瀏覽：1208 -
![奈米通訊。第五卷第四期 7.NDL在無機類低介電常數材質的研發簡介]()
www.ndl.narl.org.tw第五卷第四期 NDL在無機類低介電常數材質的研發簡介 1張鼎張、2劉柏村 1國家奈米元件實驗室研究員 2國立交通大學電子研究所博士生 前言 隨著半導體技術的進步，元件的尺寸也不斷地縮小，而進入深次微米的領域中。瀏覽：528
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日期：2024-07-09
11. 馬維駿; 蔡景元; 王彥仁; Chun Huang, 利用光放射譜儀探討不同工作距離對於六氟苯(C 6F6)噴射式大氣電漿束製備氟碳薄膜之影響, 2012 台灣化學工程學會59周年年會, 50~50 ......
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日期：2024-07-10
電漿轉換電弧 3. 化學方法 化學蝕刻 脫脂 化成皮膜處理(如磷酸鹽皮膜) 無電鍍 溶膠－凝膠法 ... CVD) 化學氣相蒸鍍是一種熱化學製程，主要是運用含有欲蒸鍍材料的揮發性化合物氣體間的化學反應，使其生成物沉積於加熱的基材上。...
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日期：2024-07-06
加熱成長. ‧氧來自氣相的氧. ‧矽來自基片. ‧薄膜成長氧進入基片. ‧品質較高. CVD. ‧氧和矽都 ... PECVD ：電漿增強型化學氣相沉積法 .... 高密度電漿CVD(壓力數毫托) ......
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日期：2024-07-07
以前利用Thermal CVD 法製備Si3N4，以SiH4+NH3+N2 在700~1000oC 下反應得到。利用PECVD 以SiH4+NH3 為進料可在低溫下得到含Si、N 的薄膜。因為電漿的 ......
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日期：2024-07-06
2009年7月10日 - RF 功率、5.電極結構、6.反應器結構、7.抽氣速率、8.產生電漿的方式等。其鍍膜的物理性質與傳統Thermal CVD 法的Si3N4 比較具有下列特性：....
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日期：2024-07-11
圖表目. 表1-1 不同CVD 沉積不同材料的溫度比較… … … … … … … … … 3. 表3-1 熱電漿與冷電漿之比較… … … … … … … … … … … … … 25. 圖2-1 (a)三能級 ......
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日期：2024-07-10
plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Based on knowledge of fundamental physical and chemical processes in the active plasma ......
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日期：2024-07-13
化學氣相沉積（英文：Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、 ... 远距电浆增强化学气相沉积（Remote plasma-enhanced CVD, RPECVD）： ......
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