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日期:2024-07-11
在新穎次世代記憶體元件中,電阻式記憶體(Resistance Random Access Memory : RRAM)因具有操作速度快、結構簡單、非揮發性、低功耗與可靠度佳等優點,使其....
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日期:2024-07-14
今國家實驗研究院奈米元件實驗室(NDL) 領先全球,開發出全球最小的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞,容量比現行快閃記憶體增加約20倍,耗電量則 ......
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日期:2024-07-16
可變電阻式記憶體(英语:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體, ......
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日期:2024-07-13
2012年12月6日 - 中,電阻式記憶體( Resistance Random. Access Memory,RRAM ) 是當中最具. 潛力的一種數位訊息存儲器(Memory),. 由於其具有高速、結構 ......
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日期:2024-07-17
在眾多新世代記憶體技術中,以過渡金屬氧化物(TMO)為基礎的電阻式記憶體( RRAM),利用氧化物中原子鍵結缺陷的氧化還原反應,導致顯著的阻質切換,配合其簡單 ......
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日期:2024-07-11
2011年4月27日 - 近年全球學界、業界及研究單位,都針對電阻式記憶體(resistive random access memories;RRAM)投入很多研究,主要是因為RRAM結構簡單,和 ......
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日期:2024-07-11
2014年3月4日 - 工研院自2006年以來積極發展世界級的電阻式記憶體(RRAM)技術,使其成為現今最低耗能的非揮發性記憶體,其中製程微縮則是讓記憶體產品 ......
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日期:2024-07-13
Crossbar's 1 Terabyte RRAM is offering a new approach to the memory market by developing a more scalable, high capacity, high performance and reliable ......