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![電阻式記憶體簡介]()
www2.kuas.edu.tw三.電阻式記憶體材料 電阻式記憶體的薄膜材料使用上有高分子材料、鈣鈦礦、二元氧化物與三元氧 化物。目前研究的主流為二元氧化物材料，因製程上二元氧化物較容易控制，而有 益於工業生產，因此本實驗室採用二元氧化物材料進行研究。瀏覽：1333 -
![工業技術研究院 - 技術成果 - 電阻式記憶體技術]()
itri.org.tw3.利用ALD在薄膜成份與厚度的控制能力，有效的舒緩電阻式記憶體所需的生成電壓(Forming voltage) 。 優異的記憶體特性使得團隊的成果更進一步獲得2009 VLSI(積體電子領域最為重要會議)及2009 IEDM(電子元件領域最為重要會議)的肯定。不僅讓工研院在發展 ...瀏覽：966
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日期：2024-07-13
可變電阻式記憶體 （ 英語 ： Resistive random-access memory ，縮寫為 RRAM 或 ReRAM ），是一種新型的 非揮發性記憶體 。類似的技術還有 CBRAM 與 相變化記憶體 ，目前許多公司都正在發展這種技術。 ReRAM的優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比 NAND 快閃 ......
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日期：2024-07-15
氧化物電阻式記憶體是一種利用電壓來改變氧化物電阻的新興非揮發性記憶體技術，其主要的特點在於元件結構簡單。工研院目前所開發的HfOx電阻式記憶體，其特性不但突破過去此記憶體開發的瓶頸，也展示出取代快閃記憶體的可能性。...
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日期：2024-07-18
一、電阻式記憶體的發展說明 電阻式記憶體(resistive random access memories；RRAM)近年來引起許多學校及業界廣泛的研究，主要是因為電阻式記憶體的主要結構相當簡單，和一般電容器結構極為相似，目前主要均是採用MIM結構(metal-insulator-metal)，此結構 ......
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日期：2024-07-11
三星電子(Samsung)的研究人員將於12月11~13日在美國舊金山舉行的國際電子元件大會(IEDM)上，發表該公司以聚合物材料為基礎的電阻式記憶體(resistive memory)技術研發進展。該公司研發了一種包括電阻性和導電性聚合物的複合性薄膜...
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日期：2024-07-11
... (精實新聞 記者朱楚文報導) 國研院奈米元件實驗室今(14)日宣布，已開發出9奈米功能性電阻式記憶體(P-RAM)陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍，且此成果亦於本(12) ......
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日期：2024-07-14
電阻式記憶體(RRAM)結合了快閃記憶體的非揮發性、靜態存取記憶體的快速存取、動態存取記憶體的高密度，配合低耗能、低成本、構造簡單、保存資料能力佳的優勢，使其在非 ......
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日期：2024-07-16
05 奈米通訊 NANO COMMUNICATION 20卷 No.1 摻雜鋅之二氧化矽電阻式記憶體 控制的摻雜方式將提高對RRAM 特性的掌握程度。此外 利用電流傳輸機制搓合的方式可以獲得各阻態之電流傳 輸機制，如圖4 所示高阻態在高外加電壓時電流傳輸機...
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日期：2024-07-18
同的外加電壓下會呈現電阻轉換的情況。電阻式記憶體 元件的操作方式，是在 元件上施加直流電壓，元件初始的狀態會維 持在低電流。而當外加電壓達到某臨界寫入 電壓時，電流會急遽上升，這時元件發生電 ......
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