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  電阻式記憶體簡介
  
  三.電阻式記憶體材料電阻式記憶體的薄膜材料使用上有高分子材料、鈣鈦礦、二元氧化物與三元氧化物。目前研究的主流為二元氧化物材料，因製程上二元氧化物較容易控制，而有益於工業生產，因此本實驗室採用二元氧化物材料進行研究。
  
  2024-06-27
  
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  可變電阻式記憶體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  可變電阻式記憶體（英語： Resistive random-access memory ，縮寫為 RRAM 或 ReRAM ），是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有 CBRAM 與相變化記憶體，目前許多公司都正在發展這種技術。 ReRAM的優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比 NAND 快閃 ...
  
  2024-06-27
  
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電阻式記憶體rram的相關商品

電阻式記憶體(RRAM)技術發展趨勢 | 產業焦點 | IEK產業情報網

日期：2024-06-26

一、電阻式記憶體的發展說明電阻式記憶體(resistive random access memories；RRAM)近年來引起許多學校及業界廣泛的研究，主要是因為電阻式記憶體的主要結構相當簡單，和一般電容器結構極為相似，目前主要均是採用MIM結構(metal-insulator-metal)，此結構 ......

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超晶格可望催生更快、更小、更省電的RRAM

日期：2024-06-27

美國密蘇里大學(Missouri University)的科技研究人員指出，超晶格(superlattice)可望成為讓電阻式記憶體(resistive random access memories，RRAM)技術邁向商業化的關鍵；透過利用磁鐵與鋅鐵氧磁體(zinc ferrite)的晶格，研究人員表示已製造出了兩...

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研究資訊

日期：2024-06-25

因此本驗室將對 ZnO 薄膜做為電阻式記憶體 RRAM 的最佳製程開發及低功率、低電壓、低成本、高交換速度、高電阻比值、高 switching cycle、單 / 雙極 RRAM 機制研究等基本特性研究。高介電常數材料元件開發分析 ......

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電阻式記憶體(RRAM)技術新趨勢 | 產業焦點 | IEK產業情報網

日期：2024-06-28

首段預覽一、電阻式記憶體的發展說明近年全球學界、業界及研究單位，都針對電阻式記憶體(resistive random access memories；RRAM)投入很多研究，主要是因為RRAM結構簡單，和一般電容器結構極為相似，目前主要採用MIM結構(metal-insulator-metal)，此 ......

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