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日期:2024-07-13
電阻式記憶體的元件結構相當簡單;同時所採用的材料並不特殊,元件所需製程溫度不高,因此相當容易與相關元件 ......
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日期:2024-07-17
電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory; RRAM)是一種新型的非揮發性 記憶體,其優點在於消耗電力較低, ......
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日期:2024-07-14
可變電阻式記憶體(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或
ReRAM),是一種新型的非揮發性記憶體。...
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日期:2024-07-11
而RRAM 之記憶層材料有龐磁阻(CMR) ... 圖2 (a) 電阻式記憶體結構;(b) 相變化
記憶體結構;(c) 磁阻式. 記憶體結構。...
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日期:2024-07-16
在新穎次世代記憶體元件中,電阻式記憶體(Resistance Random Access Memory :
RRAM)因具有操作速度快、結構簡單、 ......
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日期:2024-07-18
電阻式記憶體(RRAM)除了具有高密度、低成本、低耗能、操作速. 度快、保存資料
能力佳等優點外,構造簡單也是它的一大 ......
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日期:2024-07-12
2011年4月27日 ... 近年全球學界、業界及研究單位,都針對電阻式記憶體(resistive random access
memories;RRAM)投入 ......
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日期:2024-07-13
用熱蒸鍍系統沉積銅(Cu)作為上電極製造出結構為Cu/GO/Pt的電阻式記憶體元件。
... Key Words: graphene oxide, RRAM....