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![--歡迎光臨台灣電子材料與元件協會--]()
www.edma.org.tw李敏鴻 張書通 台灣師範大學 中興大學 第九章 SOI製程 1. 前言 2. SOI MOSFET操作原理 3. SOI原件之應用 4. 新型SOI原件 5. SOI元件未來發展與展望 6. 結論 葉文冠 林成利 高雄大學 逢甲大學 第十章 非揮發性記憶體製程瀏覽：988 -
![MRAM,什麼是MRAM?-電子工程專輯]()
www.eettaiwan.com磁電阻式隨機存取記憶(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)與利用相變化材料特性所完成的相變化記憶體(Phase Change Memory，PCM)皆是數位資訊存取市場中新興的記憶體技術，MRAM是利用奈米級磁性結構所組成的高效能記憶裝置。這些新興 ...瀏覽：1094
電阻式隨機存取記憶體的相關商品
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日期：2024-08-13
行動電話、數位相機、無線和可攜式裝置等消費產品、以無線射頻識別技術(radio frequency identification；RFID)晶片和來自醫學電子之高功率元件所組成的智慧型標籤，皆在尋求更輕、薄、短、小的晶片元件。當元件尺寸保持相同或者更加微縮時，愈小且愈扁平 ......
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日期：2024-08-13
"張慶瑞/ 國立臺灣大學物理學系教授 自從1974年電晶體發明以來，隨著IC、LSI、
VLSI以及矽元件的微小化、集積化的持續 ......
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日期：2024-08-15
物理雙月刊（廿六卷四期）2004 年8 月. 607. 磁阻式隨機存取記憶體技術的發展. —
現在與未來. 文/葉林秀、李佳謀、徐明豐、 ......
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日期：2024-08-13
磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，縮寫為MRAM
），是一種非揮發性記憶體技術，從1990 ......
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日期：2024-08-13
2014年7月15日 ... 美國德州大學的研究團隊製作出利用石墨烯作為上、下電極的電阻式隨機存取記憶體
(resistive random ......
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日期：2024-08-16
2014年7月15日 ... 美國德州大學的研究團隊製作出利用石墨烯作為上、下電極的電阻式隨機存取記憶體
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日期：2024-08-17
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日期：2024-08-11
磁電阻式隨機存取記憶(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)與
利用相變化材料特性所 ... 飛思卡爾半導體(Freescale)日前發表首款商用磁阻式隨機
存取記憶體(MRAM)元件，並已投入量產。...
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