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![可變電阻式記憶體 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org可變電阻式記憶體 （ 英語 ： Resistive random-access memory ，縮寫為 RRAM 或 ReRAM ），是一種新型的 非揮發性記憶體 。類似的技術還有 CBRAM 與 相變化記憶體 ，目前許多公司都正在發展這種技術。 ReRAM的優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比 NAND 快閃 ...瀏覽：1165 -
![工業技術研究院 - 可移轉技術 - 電阻式記憶體技術]()
itri.org.tw氧化物電阻式記憶體是一種利用電壓來改變氧化物電阻的新興非揮發性記憶體技術，其主要的特點在於元件結構簡單。工研院目前所開發的HfOx電阻式記憶體，其特性不但突破過去此記憶體開發的瓶頸，也展示出取代快閃記憶體的可能性。瀏覽：604
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日期：2024-08-08
一、電阻式記憶體的發展說明 電阻式記憶體(resistive random access memories；RRAM)近年來引起許多學校及業界廣泛的研究，主要是因為電阻式記憶體的主要結構相當簡單，和一般電容器結構極為相似，目前主要均是採用MIM結構(metal-insulator-metal)，此結構 ......
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日期：2024-08-05
三星電子(Samsung)的研究人員將於12月11~13日在美國舊金山舉行的國際電子元件大會(IEDM)上，發表該公司以聚合物材料為基礎的電阻式記憶體(resistive memory)技術研發進展。該公司研發了一種包括電阻性和導電性聚合物的複合性薄膜...
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日期：2024-08-07
... (精實新聞 記者朱楚文報導) 國研院奈米元件實驗室今(14)日宣布，已開發出9奈米功能性電阻式記憶體(P-RAM)陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍，且此成果亦於本(12) ......
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日期：2024-08-11
05 奈米通訊 NANO COMMUNICATION 20卷 No.1 摻雜鋅之二氧化矽電阻式記憶體 控制的摻雜方式將提高對RRAM 特性的掌握程度。此外 利用電流傳輸機制搓合的方式可以獲得各阻態之電流傳 輸機制，如圖4 所示高阻態在高外加電壓時電流傳輸機...
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日期：2024-08-07
技術名稱(中文)：車銑複合銑削主軸技術. 技術名稱(英文)：Multi-Tasking Turn-Mill Spindle. 技術簡介. 零組件加工的製程往往同時包含了車、銑等不同的加工製程，或者 ......
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日期：2024-08-11
高解析深度感測器是以紅外線投射特定圖紋到被測物體上，利用雙攝影機裝置同步擷取其影像，然後經過 ......
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日期：2024-08-05
耐久性佳、記憶元件面積縮小、非破壞性讀取和低成本等優點，而被廣泛地研究中。 二.電阻式記憶體(RRAM). 電阻式記憶體常用的基本結構是以一個電晶體與一個 ......
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日期：2024-08-05
在新穎次世代記憶體元件中，電阻式記憶體（Resistance Random Access Memory : RRAM）因具有操作速度快、結構簡單、非揮發性、低功耗與可靠度佳等優點，使其....
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