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![9奈米電阻式記憶體技術 - 國家奈米元件實驗室 - 財團法人國家 ...]()
www.ndl.narl.org.tw今國家實驗研究院奈米元件實驗室(NDL) 領先全球，開發出全球最小的9奈米功能性電阻式記憶體(R-RAM)陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則 ...瀏覽：1280 -
![可變電阻式記憶體- 维基百科，自由的百科全书]()
zh.wikipedia.org可變電阻式記憶體（英语：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體， ...瀏覽：1440
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2012年12月6日 - 中，電阻式記憶體( Resistance Random. Access Memory，RRAM ) 是當中最具. 潛力的一種數位訊息存儲器(Memory)，. 由於其具有高速、結構 ......
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專. 題. 報. 導. 34. 科學發展2013 年6 月│ 486 期. 離開歐姆定律─. 電阻式記憶體
材料. □. 鍾裕隆、陳貞夙. 大家對歐姆定律耳熟能詳，總是認定電流和電壓應該是成 ......
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作者: 張文淵 作者(外文): Wen-Yuan Chang 論文名稱: 以LaNiO3底電極開發(Pr,Ca)MnO3非揮發性 電阻記憶體特性之研究 ......
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首段預覽 一、 電阻式 記憶體簡介 在非揮發性資料儲存與超越摩爾定律元件需求下，新式的 電阻式 記憶體 ......
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國 立 中 正 大 學 物 理 研 究 所 碩 士 論 文 WO x 電阻式 記憶體亞穩態之分析 The Analysis of Metastable Tungsten ......
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三星電子(Samsung)的研究人員將於12月11~13日在美國舊金山舉行的國際電子元件大會(IEDM)上，發表該公司以聚合物材料為基礎的電阻式記憶體(resistive ......
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日期：2024-08-07
2013年8月5日 - 縱橫制，Inc.已走出引人入勝的新的替代性記憶體技術與隱身模式。 ... 其中的一個非常根本的異議電阻式羊城(ReRAMs) 向我解釋： 這些設備需要來 ......
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