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日期:2024-11-11
互補式金氧半積體電路之靜電放電防護 ESD (Electrostatic Discharge) Protection in CMOS Integrated Circuits 靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多 數的 電子元件或電子系統受到過度電性應力(Electrical Overstress , EOS)破壞的主要 這種破壞會導致 ......
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日期:2024-11-12
2013年3月19日 - ESD靜電防護是近世紀科學家與工程師們所戮力研究的一門技術與 ... 一般而言靜電消除器可經由離子產生方式區非為【交流式】與【直流式】兩種。 3....
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日期:2024-11-16
... 用靜電防護材料密封起來,雖然材料的種類依賴於具體的情況和目的。在靜電保護區內,低帶電 ... 手/金屬之人體模型(HBM) ANSI C63.16(設備) 傢俱模型 ANSI C63.16(設備) 9 Page 19 ......
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日期:2024-11-15
4 達好幾百伏特的電壓。如果靜電放電防護元件在驟回崩潰(Snapback Breakdown)狀 態下的持有電壓(Holding Voltage)小於電源的電壓,靜電放電防護元件便可能會經 由系統級靜電放電測試的暫態脈衝觸發而導通,進而造成積體電路發生非常嚴重...
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日期:2024-11-16
靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是造成大多數的. 電子元件或電子系統受到過度電性應力(Electrical Overstress. , EOS)破壞的主要因素。這種破壞會導致 ......
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日期:2024-11-12
晶焱科技是台灣第一家靜電防護解決方案專業服務團隊,專門提供各項ESD(靜電保護措施)相關解決方案暨內建ESD 保護電路的EMI Filter以及介面(RS Transceiver ......
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日期:2024-11-14
Electrostatic discharge (ESD) is the sudden flow of electricity between two electrically charged objects caused by contact, an electrical short, or dielectric ......
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日期:2024-11-14
靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD) 問題在電機、電子、資訊、通訊等產品不斷運用新科技推陳出新的情形下,愈顯其重要性與時效性。為提昇台灣電子工業之ESD ......