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cm.jmjh.tn.edu.tw另一方面，近年來，通態電阻低並且散熱性好的碳化矽零組件，發展迅速。碳化矽的寬能帶隙為矽的2.8倍，達到3.09電子伏特。其絕緣強度為矽的5.3倍，高達3.2MV/cm，其導熱率是矽的3.3倍，為49w/cm.k，因此其被視為下一世代半導體功率元件的主要材料。瀏覽：1054 -
![薄膜電晶體液晶顯示器- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia]()
zh.m.wikipedia.org簡單說，TFT-LCD面板可視為兩片玻璃基板中間夾著一層液晶，上層的玻璃基板是與 彩色濾光片、而下層的玻璃則有電晶體 ...瀏覽：821
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日期：2024-10-06
圖1(a) 圖1(b) LCD一般於上下透明電極間灌入厚度約3~4um的液晶層，藉灌入像素(Pixel)電極電壓的方式來控制液晶夾層電場大小，進而調節穿透光的強度，使產生介於全亮與全暗之間的灰階畫面(Gray level)。目前LCD主要由彩色濾光片(Color filter, CF)、TFT陣列 ......
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日期：2024-10-09
薄膜電晶體（英語：Thin-Film Transistor，縮寫：TFT）是場效應電晶體的種類之一，
大略的製作方式是在基板上沉積各種不同 ......
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日期：2024-10-11
氧化物薄膜電晶體（英語：oxide thin-film transistor (TFT)）是場效應管的一種特殊
類型，這種技術把半導體有源層和介電質以 ......
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日期：2024-10-09
一種，它使用薄膜電晶體技術改善影象品質。雖然TFT-. LCD被統稱為LCD，不過它
是種主動式矩陣LCD。它被應. 用在電視、 ......
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日期：2024-10-11
薄膜電晶體（Thin-Film Transistor, TFT）. 新穎氧化鋅鎵鈦(GTZO)複合材料透明導電
薄膜之特性分析與研究. （Investigation ......
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日期：2024-10-08
般小於1 cm2V-1S-1) 限制了非晶矽薄膜電晶體在當畫素開關轉換上的應用。在同. 一
基材下比較非晶矽薄膜電晶體(a-si ......
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日期：2024-10-13
薄膜電晶體歷史. 低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器. 1996年. 彩色型的非晶矽薄膜
電晶體液晶顯示器. 1990年. 第一片非晶 ......
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日期：2024-10-13
料中呈隨機分佈之情形[5]。另一方面而言，非晶矽薄膜電. 晶體僅有低載子遷移率及
不提供p 型元件。而且非晶矽. 電晶體的臨 ......
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