search:高功函數金屬相關網頁資料

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        OLED ( Organic Light Emitting Diode 有機發光二極體) ,又 可稱為有機電激發光( Organic Electroluminescence,簡稱 OEL) ... OLED的基本原理為: 加入一 外加偏壓,使 電子電洞 分別經過 電洞傳輸層 ( Hole Transport Layer )與 電子傳輸層 ( Electron ...
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      • ssttpro.acesuppliers.com
        ... 錸寶科技公司是少數同時發展OLED和PLED的公司。在本文中,主要介紹小分子OLED,首先將會介紹OLED原理,其次介紹相關關鍵製程,最後會介紹目前OLED ...
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    日期:2024-07-05
    白光LED主要研究方向,除了日亞化學所開發出以藍光LED激發黃色螢光粉後混光形成白光的技術,以及利用多色晶粒混光的方式之外,以紫外光(UV)LED激發R.G.B.三色螢光粉也受到研究單位的重視... 白光LED主要研究方向,除了日亞...
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    日期:2024-07-05
    能够证明如果我们定义功函数为把电子从固体中立即移出到一点所需的最小能量, 但是表面电荷分布的效应 ......
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    日期:2024-07-11
    整理可得:. 定義為功函數差ms. 功函數差ms(續). 以p+複晶矽(假設EF=Ev)為閘極:. p型基板的功函數差....
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    日期:2024-07-07
    功函数(work function)又称功函、逸出功,在固体物理中被定义成:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体 ......
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    日期:2024-07-08
    Element, Work Function(eV). Aluminum. 4.08. Beryllium. 5.0. Cadmium. 4.07. Calcium. 2.9. Carbon. 4.81. Cesium. 2.1. Cobalt. 5.0. Copper. 4.7. Gold. 5.1. Iron ......
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    日期:2024-07-09
    為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs,這需要兩個不同金屬閘極,且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV), ......
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    日期:2024-07-09
    為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs,這需要兩個不同金屬閘極,且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV), ......
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    日期:2024-07-09
    陰極必須是一個低功函數的金屬. – 陽極則需要用一個高功函數的材料去配合,才. 可得到最低的注入能障。 陰極功函數對於電子注入的影響程度. • Stossel et al.以真空 ......