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日期:2024-07-21
台灣積體電路製造股份有限公司今(12)日宣佈,成功使用現有的生產線設備開發出經過功能驗證的 鰭式場效電晶體 (Fin Field-effect transistor;......
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日期:2024-07-16
精實新聞 2013-12-03 12:57:03 記者 王彤勻 報導 國研院奈米元件實驗室國研院奈米元件實驗室今(3日)召開記者會,宣布研發出「多重鰭高的 鰭式場效電晶體」製程技術(見附圖),相較於「 鰭式場效電晶體......
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日期:2024-07-16
國研院奈米元件實驗室國研院奈米元件實驗室今(3日)召開記者會,宣布研發出「多重鰭高的 鰭式場效電晶體」製程技術(見附圖),相較於「 鰭式場效電晶體」(FinFET)架構,可降低約20%的製造成本,且在晶片設計上更具彈性。國研......
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日期:2024-07-18
半導體界的戰爭日新月異,製程也逐漸從傳統平面式轉為立體。繼國際大廠推出彎曲式「 鰭式場效電晶體」後,國研院也選在3日發表領先全球的製程技術,做出彈性更高、體積更小的「多重鰭高電晶體」,大幅提升國內半導體......
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日期:2024-07-16
積體電路業界正面臨CMOS架構的選擇:是採用平面式FDSOI以維續進化式的尺寸縮放方向,或推出稱為 鰭式場效電晶體(FinFET)或三閘(TriGate)三維立體電晶體。任一個選擇都伴隨著各自的挑戰。本篇文獻將討論 ......
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日期:2024-07-19
國研院奈米元件實驗室繼成功研發出「多重鰭高鰭式場效電晶體」之後,再宣布將自本
月起開放「非平面元件服務平台」,盼能提供國內研究者於研發各種元件雛型與製程 ......
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日期:2024-07-23
些問題,元件採用鰭式場效電晶體之三閘極(Tri-gate). 結構已被提出,並證明能利用
增加閘極的控制能力來抑. 制短通道效應[1]。 根據摩爾定律(Moore's Law)[2],為了
......
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日期:2024-07-18
A multigate device or multiple gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a ...
channel is wrapped by a thin silicon "fin", which forms the body of the device....