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日期:2024-08-06
白光發光二極管也導隨即面世,之後LED便朝增加光度的方向發展,當時一般的LED工作功率都小於30至60mW (毫瓦)。1999年輸入功率達1W(瓦)的發光二極管商品化。這些發光二極管都以特大的半導體晶片來處理高電能輸入的問題,而半導體晶片 ......
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日期:2024-08-08
電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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日期:2024-08-02
1. 떲멣뭐뻞 귬뉺 BJT 냲 떲멣걏 귓 덳떲 pn놵궱ꅁ 맏2 ꅁ pnp npn 뫘닕 ꅃꑔ귓놵 뫝쉉 뫙결깧랥ꅝemitter, Eꅞ ꅂ냲랥ꅝbase, Bꅞ 뚰 랥ꅝcollector, Cꅞ ꅁ 뫙 랽 귌 륱뒹엩뻞 껉 꿠 쏶ꅃ맏 ꑝ엣...
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日期:2024-08-06
這種以小信號去控制大信號的方式,就是BJT電晶體 的放大特性。 Beta是指直流網路中,BJT的電流增益。 hFE是指加給1Khz的小信號,BJT的電流增益。 eeStuff 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(3) 引用 ......
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日期:2024-08-03
4 達好幾百伏特的電壓。如果靜電放電防護元件在驟回崩潰(Snapback Breakdown)狀 態下的持有電壓(Holding Voltage)小於電源的電壓,靜電放電防護元件便可能會經 由系統級靜電放電測試的暫態脈衝觸發而導通,進而造成積體電路發生非常嚴重...
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日期:2024-08-06
圖10-4的基極等效電路,集極任何訊號( (3 )或負載電阻( R3 )都不會在電晶體的等效基極電路上反映出來。同時說明了射極那邊的電源(2的電阻R2對基極電流ib的影響:在射極上的任何電阻由基極電路看要增大(1+hfe) ......
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日期:2024-08-05
閂鎖效應是由NMOS的有源區、P襯底、N阱、PMOS的有源區構成的n-p-n-p結構產生的,是CMOS工藝所特有的寄生效應,嚴重會導致電路的失效,甚至燒毀晶元。...
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日期:2024-08-03
希子者,站長也,亦為Seize(理解)之諧音,「理解知識」之意。http://songwriter.tw/blog ... I do trust all of the concepts you have introduced on your post. They’re very convincing and can certainly work. Still, the posts are too brief for novices....