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日期:2024-11-14
半導體製程技術概論, Introduction to Semiconductor ... 半導體工業的時間週期每個
晶片組成數 ... IC Designer Technology Wafer Size Foundry 單月晶圓投片量....
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日期:2024-11-08
Introduction to fabricated Integrated Circuits Semiconductor Material and Device Oxidation and Diffusion ......
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日期:2024-11-10
半導體製程技術. Introduction to Semiconductor Process Technology. 許正興. 國立聯合大學電機工程學系 ......
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日期:2024-11-09
TSV製程範例 以下將以Tessaron之先導孔(Via First)製程為例子(圖5),進而說明TSV技術之應用發展狀況[16]。首先將兩片晶圓以面對面方式(Face to Face)進行堆疊,採用銅對銅(Copper to Copper)接合作導線垂直互連,此法又稱為超導孔技術(Super Via ......
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日期:2024-11-12
蝕刻均勻性 蝕刻均勻性是測量在好的晶圓內(WIW) 和晶圓對晶圓 (WTW)高重複性製程的測 對不同點在蝕刻前後進行厚度的測量 越多的測量點,精密度越高 標準差的定義與一般使用的相同 不同的定義有不同的結果...
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日期:2024-11-12
加速度計、溫度感測器、壓力計與觸覺感測器,來完整說明CMOS MEMS 元件設計、 ... The authors have reported the design and implementation of CMOS MEMS ......
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日期:2024-11-08
10pt 3>因為新材料的引入,使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程,兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......
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日期:2024-11-15
表3則為全球各大晶圓製造廠的開發進度,目前技術開發進度最快的仍是英特爾,其已發表立體式結構電晶體並正展開量產,緊追在後的為台積電,但在20奈米製程節點將繼續使用平面式電晶體,而非立體式,應是希望在現有製程平台上延伸現有 ......