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![奈米通訊。第五卷第三期 42.光學微影術中光阻的發展趨勢]()
www.ndl.narl.org.tw第五卷第三期 光學微影術中光阻的發展趨勢 柯富祥 1，蔡輝嘉 2 1 國科會國家奈米元件實驗室 副研究員 2 力晶半導體股份有限公司 微影經理 1.介紹 由於積體電路設備的改進及製程材料的發展，使得製程技術不斷的被更新。瀏覽：805 -
![極紫外光刻光源。極紫外，光刻，極紫外光刻，下一代光刻-中電網]()
www1.eccn.com主要研究方向是提高能量轉換效率和輸出功率，提高系統各部分的壽命，降低成本等。極紫外，光刻，極紫外光刻，下一代光刻瀏覽：381
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日期：2024-07-16
到電子束曝光的高解像力,雷射曝光的高產率. 以改進電子 .... 變雷射曝光原理，圖9 為瑞典Micronic公司. 所開發空間 ... 統(DUV 及I-line，黑線) 在各別光罩層次的. 曝光 ......
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日期：2024-07-11
原理. ➢在晶片上塗一層感光材料，使用光源的半聚合光，經. 過以玻璃為主體的光罩後，打在感光材料上。 ... 被反射而透過光罩的光束具備和光罩相同的圖案，稱. 為曝光。 ◇微影基本製程 ..... ◇DUV光學式的曝光技術，除了248nm的KrF外，即將導入....
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日期：2024-07-12
基於SUSS 光罩對準曝光機的基板完整壓印微影技術及其應用前景 ... 波長範圍內的精度要求，電子束微影的精度足夠，但是另一方面它的掃描曝光原理的產能又太低。 ..... 應用於22nm間隙壁自對準雙圖案製程之DUV檢視和缺陷成因分析 (2012/8/17)....
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日期：2024-07-14
2014年12月4日 - 編輯群作者提供duv曝光原理最新3C科技、遊戲及APP產品等影音介紹各種曝光機原理,日光燈啟動器原理,自動變速箱原理,自動對焦原理相關性, ......
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日期：2024-07-11
曝光视场（大）. 图形对准 ... 曝光系统. INFO130024.02. 集成电路工艺原理. 第四章 光刻原理(上). 16 /34 .... 2、汞灯在DUV波段输出光强不如i线和g线，因此灵敏度不够....
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日期：2024-07-17
集成电路工艺原理. 第四章 光刻原理(下). 5 /41. 对比度: Df 即灵敏度. 注意：g线和i线胶那样是靠光子一个一个曝光的， DUV胶不是。 DUV胶一旦反应开始，则会在催化 ......
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日期：2024-07-13
Stepper 機台基本原理及操作簡介FAB8A / PMA / PHOTO 黃郁斌2/15/2000 大綱? 1: PHOTO ... 曝光原理-為什麼是黃光PHOTO 黃光白光暗房紅光光譜I-line DUV 3....
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