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![瑞薩採用TakeCharge技術開發ESD防護電路系統]()
www.eettaiwan.com瑞薩科技與Sarnoff Europe近日簽署了一項合約，瑞薩將取得Sarnoff的TakeCharge技術授權，並開發新的 ESD ...瀏覽：1403 -
![防護電路之設計概念]()
www.ics.ee.nctu.edu.tw上專門用來做靜電放電防護之用，此靜電放電防護電路提. 供了ESD電流路徑，以免ESD放電時，靜電電流流入IC內. 部電路而造成損傷。人體放電模式(HBM)與機器 ...瀏覽：1211
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日期：2024-07-11
7.2.1 VDD與VSS間的寄生元件. ESD電壓跨在VDD與VSS電源線之間，除了會造成IC. 內部電路損傷之外，也常會觸發一些寄生的半導體元件導. 通而燒毀。在CMOS ......
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日期：2024-07-11
陳穩義，柯明道. Page 2. 2. 目錄. 一. 前言. 二. 閘極過度耦合效應(OGDE). 三. 防止閘極過度耦合效應的靜電放電防護電路設計. 四. 實驗結果. 五. 結語. Page 3. 3....
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日期：2024-07-10
本節介紹利用電路上的技巧來提昇CMOS IC的ESD防. 護能力，其主要是利用ESD放電的瞬間電壓快速變化的特. 性，藉由電容耦合(coupling)作用來使ESD防護電路 ......
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日期：2024-07-07
性的ESD防護電路設計，該創新之ESD防護電路能夠提供. 有效的ESD防護於VDD與VSS之間，達到保護IC的內部電路. 的效果，且該ESD防護電路只佔用更小的佈局 ......
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日期：2024-07-09
靜電放電防護電路(ESD protection circuits)是積體電路上專門用來做靜電放電防護之用，此靜電放電防護電路提供了ESD電流路徑，以免ESD放電時，靜電電流流入IC ......
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日期：2024-07-11
2011年7月8日 - 且閘極氧化層的崩潰電壓和PN Junction 的崩潰電壓的差值愈來愈小，使得靜電保護電路的驅. 動電壓範圍也隨之愈來愈小，且因為元件尺寸變的更 ......
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日期：2024-07-09
Interface (Data Transmission). Design considerations for system-level. ESD circuit protection. Introduction. As technology has evolved, mobile electronic devices ......
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日期：2024-07-08
Semtech provides reliable system-level Electrostatic Discharge (ESD) and Electromagnetic Interference (EMI) circuit protection technologies that meet the ......
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