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![逢甲大學資訊電機工程碩士在職專班碩士論文 - 逢甲大學學位 ...]()
ethesys.lib.fcu.edu.tw也討論了快閃記憶體電路測試的基本原理和測試方法，並導入了數種. 學術界效益較高 ...... 由表2.1 可知NAND Flash 在相同容量之下，價格較低、體積小、. 抹除及寫入 ...瀏覽：856 -
![8051 單晶片原理簡介]()
designer.mech.yzu.edu.tw8051 單晶片原理簡介 MOV A, 40H ；將記憶體40H 內容的值存入A 暫存器 MOV A, WORD, 20H ；將記憶體20H 內容的值存入變數WORD 裡 3. 間接定址法 間接定址法是使用暫存器R0、R1 等做為指標，間接取得該指標內的值，前瀏覽：903
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作者：蔡宗成 (2001-0 4 3-21 0)；推薦：徐業良 (2001-0 4 3-27 *)。 8051 單晶片原理簡介 1. 前言： 8051 是目前市面上很受歡迎使用的單晶片微處理器之一，是由 INTEL 公司所開發出來，普遍地應用在工業界中，由於其使用的普及，許多設計半導體晶片的公司也有 ......
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2005年3月12日 - 如題，我知道Flash Memory是EEPROM的改良，也知道EEPROM是EPROM(UV- EPROM) ......
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2010年9月16日 - 運作原理. NOR flash 的寫入與其在矽晶上的結構. 快閃記憶體將資料儲存在由浮閘電晶體 ......
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