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日期:2024-11-07
敘述電漿蝕刻製程的順序. ‧瞭解蝕刻 .... 氧電漿灰化(Oxygen plasma ashing):有機
..... 光感測器可偵測顏色變化,指出電漿蝕....
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日期:2024-11-08
Plan Optik 的結構晶圓採用化學濕製程與機械加工工藝。它採用氫氟酸( HF)來 蝕刻玻璃 ......
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日期:2024-11-09
SiF 4 易溶於水,與 HF 繼續反應: 正因如此,它必須儲存在塑料容器中(放在聚四氟乙烯容器中最好 ... 氫氟酸也用來 ......
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日期:2024-11-12
9 乾式蝕刻的原理 乾式蝕刻是以電漿,而非濕式的溶液,來進行薄膜蝕刻的 一種技術。 乾蝕刻的優點為非等向性蝕刻。 乾蝕刻的非等向性主要是利用粒子轟擊的物理現象進行,這種粒子轟擊的現象,不但可以在被蝕刻的薄膜上進行,...
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日期:2024-11-06
在超大型積體電路(ULSI)製程中,晶圓洗淨之技術及潔淨度. (Cleanliness) ,是影響
晶 ... 污染物對半導體元件電性的影響. 1....
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日期:2024-11-07
通用的TFT LCD array結構即是利用5PEP製程得到所需的TFT結構,各大LCD廠為了 ... 等),或者製程別的不同,甚至建廠規劃考量,會導致乾溼蝕刻的比重有很大 ......
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日期:2024-11-11
乾式蝕刻是以電漿,而非濕式的溶液,來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的
優點為非等向性蝕刻。 ◇乾蝕刻的非等向性 ......
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日期:2024-11-11
2010年10月15日 ... Taiwan Maxwave Co., Ltd. 物質安全資料表 ... 氫氟酸7664-39-3﹔氟化銨12125-01
-8. 四、急救措施....