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![半導體晶圓廠的清潔劑]()
www.sanlien.com10 科學做見證．為工業 三、SPM工作原理 1. SPM之化學特性混酸工作原理 Piranha Clean（SPM）H 2SO 4/H 2O 2主要應 用於有機物之去除，利用H 2SO 4 之強氧化性來 破壞有機物中之碳氫鍵結。一般是以H 2SO 4（98 wt%）：H 2O 2（31 wt%）= 4：1 之體積 ...瀏覽：506 -
![Re: [問題] BOE蝕刻4um圓的二氧化矽- 看板NEMS - 批踢踢實業坊]()
www.ptt.ccBOE對SiO2 的蝕刻速率與SiO2 的製成方式"高度相關"。SiO2膜品質(品質最緻密與電子 ...瀏覽：1379
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日期：2024-11-12
利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中，決定蝕刻速率的是[HF2-]濃度，若HF濃度保持固定且緩衝溶液 ......
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日期：2024-11-12
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體 ......
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日期：2024-11-07
5-2-1 矽的濕式 蝕刻 在半導體製程中，單晶矽與複晶矽的 蝕刻通常利用硝酸與氫氟酸的混合液來進行。此反應是利用 ......
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日期：2024-11-07
氟化氫（化學式： HF）是氫的氟化物，有強烈的腐蝕性，有劇毒。它是無色的氣體，在空氣中，只要超過3ppm就會產生 ......
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日期：2024-11-08
若在 HF-based etchant中添加HCl可提升同濃度之 HF蝕刻液之 蝕刻速率，並且可避免白色氟化鹽類在晶片表面的沈澱 ......
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日期：2024-11-10
常用蝕刻劑. • 氧化膜（SiO. 2. ）：. 氧化膜（. 2. ） – HF. – HF + NH. 4. F. 氮化膜（Si N ）
H PO. • 氮化膜（Si. 3. N. 4. ）：H. 3. PO....
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日期：2024-11-08
高選擇性 二氧化矽的濕式蝕刻 氫氟酸(HF)溶液 通常稀釋在緩衝液或去離子水以
減緩蝕刻速率 SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O...
瀏覽：736
日期：2024-11-11
氫氟酸(HF) 乃是應用於半導體製程、玻璃蝕刻和其它工業製程中。HF的極高腐蝕性
和毒性特質，使得它難以處理，因此需要 ......
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