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日期:2024-07-25
薄膜沉積技術 半導體製程中所稱的薄膜,是指厚度在1μm以下的膜。例如層間絕緣膜或是電極金屬等。 薄膜沉積技術是由外界提供材料來累積在矽基板上的技術。 由於是外來的沉積,即有發生污染的可能,一直以來令人擔心是否會影響高純度矽基板 ......
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日期:2024-07-26
9 乾式蝕刻的原理 乾式蝕刻是以電漿,而非濕式的溶液,來進行薄膜蝕刻的 一種技術。 乾蝕刻的優點為非等向性蝕刻。 乾蝕刻的非等向性主要是利用粒子轟擊的物理現象進行,這種粒子轟擊的現象,不但可以在被蝕刻的薄膜上進行,...
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日期:2024-07-25
Application on 5 PEP (BCE) •Consist of plasma 電漿其實是由諸多離子、電子、分子及原子團(radicals) 所組成且電性為中性的部分離子化氣體。全部分子、原子都解離成離子和電子的狀態稱為完全解 離電漿,而RIE/PE/ICP為弱解離;RIE/PE的解離率約0.01%而...
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日期:2024-07-22
台灣真空業創史元老級企業,倉始于1968年曆經四十年以上從代工到自主研發真空鍍膜機,爲真空業界領導地位,長年和美國日本 ... 概要: 在濺鍍的製程上,電漿的產生是不可或缺的,由於電漿的作用下,製程得以進行。詳細>>...
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日期:2024-07-25
姓名 林欽山 (ching-shan Lin) 電子信箱 ceramic_samlin@yahoo.com.tw 學號 D9314001 論文著作權 作者與指導教授共同擁有 系所名稱(中) 材料科技研究所 系所名稱(英) Graduate School of Materials Science and Technology 學年度 / 學期 97學年度第1學期...
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日期:2024-07-23
電感偶合式電漿(ICP)之原理. 捷胤工業有限公司. NEW JEIN INDUSTRIAL CO., LTD. 捷胤工業有限公司....
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日期:2024-07-29
其中最具商業化潛力的要算是電感耦合式電漿(ICP)或稱之為變壓器耦合電漿(TCP)。 ... 高均勻度電漿即為科學家所競相追求的目標,因此ICP高密度電漿的基本原理乃是以磁場來產生耦合。...
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日期:2024-07-22
行動版 - 2010年9月29日 - ICP-OES 基本原理一、 前言年代感應耦合電漿(inductively coupled plasma,ICP) 開始應用 ......