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(a) a-IGZO - 逢甲大學學位論文提交查詢系統
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日期：2024-10-09
逢甲大學. 材料科學與工程學系. 碩士論文. 以溶膠凝膠法製備非晶IGZO 薄膜及其. 在 薄膜電晶體之應用. Amorphous IGZO thin films prepared by sol-gel method and....
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前瞻a-IGZO 薄膜電晶體與非揮發性記憶體的研究(I)
瀏覽：560
日期：2024-10-12
關鍵詞: 非晶相銦鎵鋅氧化物(Amorphous InGaZnO: a-IGZO);薄膜電晶體(Thin- FilmTransistor: TFT);短通道效應(Short Channel Effect);高介電常數(High-k);非揮發 性 ......
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前瞻a-IGZO薄膜電晶體與非揮發性記憶體的研究 - 清華大學機構典藏
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日期：2024-10-07
題名: 前瞻a-IGZO薄膜電晶體與非揮發性記憶體的研究(I). 其他題名: Study of Emerging a-IGZO Thin-Film Transisitors and Nonvolatile Memory(I). 作者: 吳永俊....
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夏普新IGZO技術解析
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日期：2024-10-07
2012年5月24日 ... 而此時夏普也搬出了其最新的王牌技術———IGZO（In-Ga-Zn-O）TFT采用 ... 薄膜電 晶體技術，是指在TFT-LCD主動層之上，打上一層金屬氧化物。...
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軟性透明a-IGZO薄膜電晶體之前瞻研究| eTop
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日期：2024-10-13
本計劃預計以三年時間，開發高效能、高穿透率非晶氧化物半導體（amorphous oxide semiconductor）的薄膜電晶體。研究....
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電晶體驅動能力優異Oxide TFT實現超高畫素面板- 學技術- 新電子科技 ...
瀏覽：453
日期：2024-10-12
氧化物薄膜電晶體(Oxide TFT)具有高元件遷移率、高均勻性及大面積製程相容性， ... 及氧化鎵(GaOx)形成IGZO(InGaZnO)電晶體的元件，該元件具有高透光，低製程 ......
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IGZO面板- 財經百科- 財經知識庫- MoneyDJ理財網
瀏覽：1330
日期：2024-10-09
IGZO面板。 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)為氧化銦鎵鋅的縮寫，是一種薄膜電 晶體技術，在TFT-LCD主動層之上，打上一層金屬氧化物。IGZO技術由夏普(Shar....
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材料世界網:IGZO材料、元件特性及其基本原理(一)
瀏覽：1458
日期：2024-10-13
2013年6月19日 ... 但是在同一時期，結晶形IGZO薄膜的研究也在平行發展，而且日本Sharp已經率先 ... 雖然sc-IGZO TFT有相當好的電晶體特性及實驗再現性，但其中 ......
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