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![ITO 透明導電薄膜：從發展與應用到製備]()
ri.search.yahoo.com藉由ITO 薄膜導電性的量測與製程 參數的相關性，我們可以尋找ITO 薄膜的最佳條件，例如由圖三所示發 現以indium nitrate (In(NO3)3.1H 2O) 及tin chloride (SnCl4) 為反應物，在錫含量為8 wt%，鍛燒溫度500 以上 ...瀏覽：563
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日期：2024-11-10
藉由ITO 薄膜導電性的量測與製程 參數的相關性，我們可以尋找ITO 薄膜的最佳條件，例如由圖三所示發 現以indium nitrate (In(NO3)3.1H 2O) 及tin chloride (SnCl4) 為反應物，在錫含量為8 wt%，鍛燒溫度500 以上 ......
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