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bubuchen.pixnet.net在先進的CMOS製程裡，LOD (Length of Diffusion) Effect將會是影響類比電路的一個重要參數。剛好最近讀了一些有關LOD Effect的文章，發現LOD Effect的資訊.瀏覽：1302 -
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bubuchen.pixnet.net在Introduction to LOD Effect (上)一文中，已經簡單的介紹LOD (Length of Diffusion) Effect，接著來談談如何降低LOD Effect對電路的影響.瀏覽：383
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日期：2024-09-06
2008年10月2日 - 談完LOD Effect，就不得不再談談WPE。在先進半導體製程中，除了LOD (Length of Diffusion) Effect外，另ㄧ個常被提到的問題就是Well Proximity ......
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日期：2024-09-06
Then the other one is that (so far it seems) AOE fields basically just become invisible (you can only see their circles) with Effect LOD, which ......
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日期：2024-09-09
應力造成分佈鄰近效應（Layout proximity effects）源自於元件尺寸比例及佈線製程 ... 在LOD模型之後，一些新的模型正在開發以更全面及正確的計算出佈線鄰近效應。...
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日期：2024-09-08
2008年9月7日 - 在Introduction to LOD Effect (上)一文中，已經簡單的介紹LOD (Length of Diffusion) Effect，接著來談談如何降低LOD Effect對電路的影響。...
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日期：2024-09-04
2009年4月16日 - Sources of layout proximity effect. • Well proximity effect. • Unintentional stressors. ▫ Shallow trench isolation (LOD effect). • Intentional stressors....
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日期：2024-09-04
Abstract—Length of thin oxide definition area (LOD) effects and the ... In the non-SiGe devices, the LOD effect is dominated by the STI stress and shows....
瀏覽：1304
日期：2024-09-07
➢LOD effect is due to mechanical compressive stress induced at boundary of. OD. ➢Proportional to the distance to OD boundary. ➢Layout dependent but not ......
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日期：2024-09-02
STI EFFECT OR LOD EFFECT. SHALLOW TRENCH ISOLATION OR LENGTH OF DIFFUSION. WPE. WELL PROXIMITY EFFECTS. OPC. OPTICAL PROXIMITY ......
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