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![國立中央大學]()
thesis.lib.ncu.edu.tw被動元件的部份主要是探討旁路電容佈局之連線效應，而設計之電路. 主要包括 ..... 3-2 低雜訊放大器之重要參數與MOSFET 的雜訊. ..... 圖4.3.9 所有MOS 的寄生電容.瀏覽：483 -
![POWER MOSFET - 電力電子應用研究室]()
140.127.114.64電力電子元件POWER MOSFET是為一個三端點元件，其三端分別為閘極、源極及汲 ... 導通，POWER MOSFET的閘源極間存在一個寄生電容，驅動POWER MOSFET ...瀏覽：1098
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日期：2024-07-13
详细介绍了沟槽MOSFET 结构的基本结构，进而确定了寄生. 元件，定义了相关术语 ... BHFFOM(1)，它假设主要开关损耗与输入电容（Ciss）充/. 放电有关。第三种方法 ......
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日期：2024-07-12
由n-channel MOSFET及p-channel MOSFET組合而成，兩者具有互補作用，故稱 ... 當Vi = 0V時，Qp導通且Qn不導通，VDD經由Qp向輸出端寄生電容C充電。由於Qp ......
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日期：2024-07-14
Chip123創新論壇 chip123 社群 論壇 社區 交流 - Discuz! Archiver ... YuanII 發表於 2010-5-29 09:08 PM MOS的寄生電容 想請問一下，如果要拿MOS當一顆電容，N或P哪種的容質較大? 為什麼呢?...
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日期：2024-07-07
在MOS的電路上，如有寄生電容產生了米勒效應，會對MOS的產生什麼影響 ?? ... 現在的功率MOS都是並聯的架構，所以GS間的電容都相當大，故在電路間如有米勒效應，則頻寬快速下降，容易造成振盪，或作ON→OFF動作時，由延遲或鎖定的問題產生 ......
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日期：2024-07-11
多，MOSFET的開關延遲特性完全是因為寄生電容的充放電。 由於器件在開關 ... MOSFET內部寄生的二極管使其在電感負載開關應用中，不需要增加. 額外的成本就能 ......
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日期：2024-07-07
2013年8月26日 - 前些日子写了MOSFET的应用选型，今天给大家分享一下MOSFET的应用实例。下图是MOSFET的简化模型，在GS,GD,DS之间都有等效电容存在。...
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日期：2024-07-07
2012年11月8日 - 第4讲MOS管外特性和寄生电容 直流特性（1）输入转移特性（2）输出特性关系。 VDS固定，ID与VGS的关系对于各种固定的VGS，ID与VDS的ID nd + ......
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