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![電容 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org在 電路學 裏，給定 電勢差 ， 電容器 儲存 電荷 的能力，稱為 電容 （ capacitance ），標記為 C 。採用 國際單位制 ，電容的單位是 法拉 （ farad ），標記為 F 。 平行板電容器 是一種簡單的電容器，是由互相平行、以空間或 介電質 隔離的兩片薄板 導體 ...瀏覽：400 -
![金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...瀏覽：916
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日期：2024-07-12
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與 ... = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ......
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日期：2024-07-09
電晶體(transistor)是近代電子電路的核心元件，他的主要功能是做電流的開. 關，就
如同控制 ... 依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,....
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日期：2024-07-07
MOSFET當開關時， 若是NMOS，只要G接正電壓，S接地就 .... 開官一端浮接那通
不通有啥影響呀天才一ㄍ....
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日期：2024-07-13
的心臟是一個稱為MOS 電容 的金屬－氧化物－半導體結構。當在 MOS 電容上外加一個電壓時，在半導體之中接近氧化物－半導體界 ... 2-1表面電位概說及計算.....22 2-2 臨限電壓的求得.....24 2-3表面電位相關推導 ......
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日期：2024-07-07
MOSFET的操作原理 p n+ ... MOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是
在電腦 ... 結構類似電容，閘極的金屬導體會堆積一些正電荷，而在氧化物絕. 緣層另
......
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日期：2024-07-13
MOS 떲멣 륱깥C oxꅇ 결 MOS떲멣 뻉엩뭐껱 뱨뚡 궱 뻉륱룼엩ꅃ궫굮냑볆결껱 뱨 t ox ꅁ 륱 볆e ox ꅃ MOS ꑯꅇ 걁L(덱륄 륨랥 )ꅁ W(덱륄뱥 )ꅃ덯귓 덱륄꿠걹덱 륱걹 쏶ꅁꑝ MOS륱깥귈 쏶ꅃ 늾냊륱걹ꅇ 뚷 륄 신뱨룼엩 녋 ꅁ륱돵 냊뉶 ......
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日期：2024-07-09
中國電子頂級開髮網論壇(EETOP) eetop 是一個綜合性的電子設計論壇、工程師blog、電子資料免費分享平台 - Discuz! Archiver ... kuan 發表於 2006-11-2 18:57 把MOS當電容使用問題 請問一下 有沒有人把MOS當作電容使用(操作在accumulation mode下)...
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日期：2024-07-13
mos的g端當電容的in ， mos的s、b、d當電容的out， M5? F x E$b4P"[ l S 作pex也量不到in、out的電容。 而且NMOS的body會自動定義為gnd!， 好像不能浮接或是接mos的s、d， pex出現的訊息為: mm1 out in out gnd! nch W=2u L=350n ......
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