search:mos當電容相關網頁資料

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        當一個電壓施加在MOS電容的兩端時,半導體的電荷分佈也會跟著改變。考慮一個p-type 的半導體(電洞濃度為N A )形成的MOS電容,當一個正的電壓V GB 施加在閘極與基極端(如圖)時,電洞的濃度會減少,電子的濃度會增加。當 ...
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        當電容之間給予交流電壓時 會產生和頻率相關的阻抗稱為容抗, , 會使的電容上電流變化和電壓變化之間有90度相角差(電流超前電壓), 於是在交流電路上可以產生濾波等功能. (其中 , 其實就是虛數 i,只是 交流電路中 經常用 i 表示電流,因此改用 j 表示虛數 ...
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    日期:2024-07-09
    塑膠電容,super cap,電容,超級電容,電池,音效ic,SMD,FUSE 管理體系認證: 員工人數: 0 研發部門人數: 0 廠房面積: 月 產 量: 主要品牌: 年營業額: 0 品質控制: 年進口額: 0 主要市場: 年出口額: 0 企業網址: http://www.pactw.com.tw http://www.hiyp.com.tw/com ......
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    日期:2024-07-08
    當一個電壓施加在MOS電容的兩端時,半導體的電荷分佈也會跟着改變。考慮一個p 型的半導體(電洞濃度為NA)形成的MOS電容,當一個正的電壓VGB施加在閘極與 ......
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    日期:2024-07-13
    kuan 发表于2006-11-2 18:57. 把MOS當電容使用問題. 請問一下有沒有人把MOS當 作電容使用(操作在accumulation mode下) 電容值該如何simulation 如何套用 ......
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    日期:2024-07-07
    deg326 發表於2008-10-29 10:03 AM. 有記對的話,將mos的s、b、d這三腳接一起 當電容的一端, ~ r v;m p _,M 而電容的另一端則用g腳。 r T8{ U i...
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    日期:2024-07-12
    崩潰. MOSFET中的電容 ... 當υDS. 愈大時(在飽和區),靠近汲極的空乏區愈寬,有 通道電子的通. 道部分長度愈短, .... 當MOSFET在triode區,通道電子均. 勻分佈,閘  ......
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    日期:2024-07-09
    論文名稱:___RC 佈局與交換式電容電路之研發與設計___. □同意□不同意( 政府 ...... 圖2.17 為當MOS 電容用來做可變電容時的實體層佈局. (Layout) [18]。...
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    日期:2024-07-14
    MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在 多數情況下, ... 當MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發生的情況。...
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    日期:2024-07-08
    本論文透過簡單的製程,製作MOS結構,過程包括標準晶圓清洗,高溫氧化爐管生成 ... 針對不同摻雜種類的矽基板,改變不同氧化層厚度,分析電容-電壓曲線的影響, ......