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www.capmic.com.tw較優的麥克風, 而數位式麥克風將是未來相當重要的選擇. 而最後也是最重要的就是 麥克風陣列尤其是配合著數位 式麥克風, 麥克風陣列顧名思義, 就是用了一個以上的 ...瀏覽：1161
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日期：2024-07-09
金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ......
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日期：2024-07-08
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與 ... = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ......
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日期：2024-07-08
首先探討造成MOS溫度上升的原因，無論開關元件是使用雙載子電晶體(Bipolar Transistor)、MOSFET或是絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，造成開關元件溫度上升的原因就是開關元件上所消耗的功率，而總消耗的功率損失，可以下式表示：...
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日期：2024-07-13
金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型
與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金 ......
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日期：2024-07-09
電晶體(transistor)是近代電子電路的核心元件，他的主要功能是做電流的開. 關，就
如同控制 ... 依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,....
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日期：2024-07-10
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数 ......
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日期：2024-07-13
“電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目： 基板摻雜型態(substrate doping type) ... 計算杜拜電容Cdebye = (2)1/2 s / LD 。 計算平帶電容CFB CFB = [Ci Cdebye]/ [Ci + Cdebye] 。 由CFB 在C-V曲線中對應出平帶電壓 ......
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日期：2024-07-13
的心臟是一個稱為MOS 電容 的金屬－氧化物－半導體結構。當在 MOS 電容上外加一個電壓時，在半導體之中接近氧化物－半導體界 ... 2-1表面電位概說及計算.....22 2-2 臨限電壓的求得.....24 2-3表面電位相關推導 ......
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