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![金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书]()
zh.wikipedia.org金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ...瀏覽：1206 -
![MOSFET的操作原理]()
ezphysics.nchu.edu.twMOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是在電腦及通訊相關的電子設備中，大量. 的這種電晶體開關幫助我們處理、運算及記憶. 大量的數據。由於MOSFET ...瀏覽：617
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日期：2024-12-19
功率 場效應 晶體管 MOSFET 1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal OxideSemiconductor金屬氧化物半導體），FET（FieldEffectTransistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的 ......
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日期：2024-12-23
依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場
效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制
......
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日期：2024-12-17
一種由電阻和電晶體組合的邏輯電路，判斷邏輯準位的方式是以輸入端迴路電流特性而定，當輸入的電壓VI低於電晶體導通電壓時，就沒有導通電流IB，電晶體C-E間成 ......
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日期：2024-12-17
2006年9月6日 - MOSFET當開關時，若是NMOS，只要G接正電壓，S接地就可以通。若是PMOS， 只要G接地，S接正電壓就可以通。 ... [ 物理] · MOSFET基本工作原理 ......
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日期：2024-12-18
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数 ......
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日期：2024-12-19
MOS元件原理及參數介紹 MOS製程可以分成以下三種：pMOS、nMOS和CMOS。 (一) pMOS在MOS製程技術中是最簡單，所以被應用的最早。其是利用電洞來導電，所以速度會變得較慢。 (二) nMOS則是利用電子來做傳導的工作，因為電子的漂移速度約為電洞的 ......
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日期：2024-12-20
2014年5月6日 ... 寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，
後邊再詳細介紹。 在MOS管原理 ... 通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是
出於對電壓驅動的考慮。...
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日期：2024-12-24
矽半導體可分成n型與p型，MOS也因此分成nMOS與pMOS。 ... 反過來說，若VGS＜Vth，MOS就工作在截止區，此時通道截止且無電流通過，可視為開關在開路的狀態 ......
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