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日期:2024-08-01
依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場
效電晶體(field effect transistor, FET)。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面,電訊號控制
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日期:2024-08-01
金屬-氧化層 半導體場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效 ......
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日期:2024-08-02
首先探討造成MOS溫度上升的原因,無論開關元件是使用雙載子電晶體(Bipolar Transistor)、MOSFET或是絕緣閘雙極性電晶體(IGBT),造成開關元件溫度上升的原因就是開關元件上所消耗的功率,而總消耗的功率損失,可以下式表示:...
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日期:2024-08-08
電源網功率開關器件、大/小功率開關管技術頻道分享相關的資訊新聞及應用,mosfet和mos管的相關工作原理和型號參數,讓大家瞭解更多的最新資訊。...
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日期:2024-08-05
P-channel MOSFET 引用: http://www.physics.udel.edu/~watson/scen103/mos5. html N-channel MOSFET 引用:http:...
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日期:2024-08-05
2006年9月6日 - MOSFET當開關時,若是NMOS,只要G接正電壓,S接地就可以通。若是PMOS, 只要G接地,S接正電壓就可以通。 ... [ 物理] · MOSFET基本工作原理 ......
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日期:2024-08-07
在各類中小功率開關電路中應用極為廣泛。 基本MOSFET的定義. MOSFET的電路符號如下,此為N通道的MOSFET,當然亦有P通道的MOSFET,其電路符號中的箭頭 ......
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日期:2024-08-02
2013年3月27日 - MOSFET結構及其工作原理詳解. ... 其特點是用柵極電壓來控製漏極電流,驅動電路簡單,需要的驅動功率小,開關速度快,工作頻率高,熱穩定性優 ......