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日期:2024-12-15
快閃記憶體(Flash Memory),是非揮發性記憶體的一種,不需電力來維持數據的儲存。又可分為NOR Flash以及NAND Flash兩種,前者用於儲存程式碼,後者用於儲存數據資料。快閃記憶體用一個浮動閘(Floating Gate)電晶體來儲存數據,利用...
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日期:2024-12-17
快閃記憶體也就是Flash memory,是一種矽元素的電晶體記憶體技術,這種技術是將電子包入稱為漂浮閘的電晶體,並以此永久儲存資訊。根據快閃記憶體單元的臨界電壓,電晶體會繼續絕緣或變成可以導電。 快閃記憶體為EPROM 及...
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日期:2024-12-19
NAND快閃記憶體產品列表(SLC大容量)塊大小:256KB 容量 [bit] 工藝 [nm] 頁大小 [bit] 塊大小 [bit] 電源電壓 [V] 工作溫度 [ C] I/O 封裝 器件型號 存取時間 編程/擦除時間(典型值) 串列週期 首次存取...
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日期:2024-12-21
1984年,東芝開發出一種全新的半導體記憶體——快閃記憶體,由此引領整個行業跨入了一個新的時代。 在幾年後的1987年,東芝又成功開發出NAND快閃記憶體。目前NAND快閃記憶體被廣泛應用於眾多存儲卡和電子設備中。...
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日期:2024-12-15
韓國無晶圓半導體廠(Fabless) ATO Solution Co., Ltd. 宣佈,已開發出256MB的 SLC NAND 快閃記憶體,並聲稱這是以該公司自有的設計技術為基礎所開發。新元件已於今 ......
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日期:2024-12-18
快閃記憶體在效能、元件特性、耐用度與單位儲存容量等相關表現不斷提升,已大量滲透到常見的日常家電、3C產品與IT裝置中,而採行快閃記憶體技術的 ......
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日期:2024-12-21
... ,使應用端源源不絕的產生許多殺手級應用。這些應用創造了許多系統商的奇蹟,正因為NAND快閃記憶體 的可攜性與非揮發性及低耗電,讓個人化應用變的可能。 ......
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日期:2024-12-15
在以前的文章中我們討論了需要垂直走進身體的死亡,因為 NAND 快閃記憶體可以不縮放遠在長度和寬度上模的表面。 東芝發明了 3D 的 NAND,已通過並經所有快閃 ......