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![快閃記憶體 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org快閃記憶體 （ 英語 ： Flash Memory ），是一種 電子清除式可程式唯讀記憶體 的形式，允許在操作中被多次擦或寫的記憶體。這種科技主要用於一般性資料儲存，以及在電腦與其他數位產品間交換傳輸資料，如 記憶卡 與 隨身碟 。快閃記憶體是一種特殊的 ...瀏覽：376 -
![NAND 快閃記憶體產業概況 - 台灣工業銀行 Industrial Bank of Taiwan台灣工業銀行 Industrial Bank of Taiwan]()
www.ibt.com.twHynix 自2004 年才正式進入NAND Flash 領域，將原本生產DRAM 的M8 與M9 轉換為生產NAND Flash，加上Hynix 主力產品的1Gb NAND於Q105 價格相對抗跌，價量齊揚下Hynix 在Q205 超越日商瑞薩（Renesas ...瀏覽：1182
nand快閃記憶體的相關文章
nand快閃記憶體的相關商品
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日期：2024-11-11
快閃記憶體(Flash Memory)，是非揮發性記憶體的一種，不需電力來維持數據的儲存。又可分為NOR Flash以及NAND Flash兩種，前者用於儲存程式碼，後者用於儲存數據資料。快閃記憶體用一個浮動閘(Floating Gate)電晶體來儲存數據，利用...
瀏覽：809
日期：2024-11-10
快閃記憶體也就是Flash memory，是一種矽元素的電晶體記憶體技術，這種技術是將電子包入稱為漂浮閘的電晶體，並以此永久儲存資訊。根據快閃記憶體單元的臨界電壓，電晶體會繼續絕緣或變成可以導電。 快閃記憶體為EPROM 及...
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日期：2024-11-14
NAND快閃記憶體產品列表（SLC大容量）塊大小：256KB 容量 [bit] 工藝 [nm] 頁大小 [bit] 塊大小 [bit] 電源電壓 [V] 工作溫度 [ C] I/O 封裝 器件型號 存取時間 編程/擦除時間（典型值） 串列週期 首次存取...
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日期：2024-11-16
1984年，東芝開發出一種全新的半導體記憶體——快閃記憶體，由此引領整個行業跨入了一個新的時代。 在幾年後的1987年，東芝又成功開發出NAND快閃記憶體。目前NAND快閃記憶體被廣泛應用於眾多存儲卡和電子設備中。...
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日期：2024-11-16
韓國無晶圓半導體廠(Fabless) ATO Solution Co., Ltd. 宣佈，已開發出256MB的 SLC NAND 快閃記憶體，並聲稱這是以該公司自有的設計技術為基礎所開發。新元件已於今 ......
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日期：2024-11-15
快閃記憶體在效能、元件特性、耐用度與單位儲存容量等相關表現不斷提升，已大量滲透到常見的日常家電、3C產品與IT裝置中，而採行快閃記憶體技術的 ......
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日期：2024-11-10
... ，使應用端源源不絕的產生許多殺手級應用。這些應用創造了許多系統商的奇蹟，正因為NAND快閃記憶體 的可攜性與非揮發性及低耗電，讓個人化應用變的可能。 ......
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日期：2024-11-16
在以前的文章中我們討論了需要垂直走進身體的死亡，因為 NAND 快閃記憶體可以不縮放遠在長度和寬度上模的表面。 東芝發明了 3D 的 NAND，已通過並經所有快閃 ......
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