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日期:2024-07-10
定義:若因施加至 電晶體的電壓、電流產生 功率損耗,因而造成元件發熱時,接合面(junction)溫度:Tj到達絕對最大額定值所規定的溫度(Tj = 150 C)時的 ......
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日期:2024-07-12
黃智方(Huang, Chih-Fang) 副教授 國立清華大學電機工程學系暨電子工程研究所 Associate Professor , Department of Electrical Engineering & Institute of ... Brief CV: Dr. Chih-Fang Huang received his Ph.D. degrees from the School of Electrical and Computer ......
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日期:2024-07-10
在本章所討論的電晶體是以二極體的基本理論為基礎,更深入了解。 .... 接面(B-E接
面,B-C接面)偏壓不同,可分為以下幾種模式,如表4-1所示,其工作原理分述如下: ......
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日期:2024-07-12
NPN型電晶體是由兩層較厚的N型半導體夾著一層很薄的P型半導體所組成。具有射
極(Emitter;簡稱E)、基極(Base;簡稱B)與 ......
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日期:2024-07-08
... 全称双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种 ...
以NPN電晶體為例,按照设计,高掺杂的发射极区域的电子,通过扩散作用运动到基
极。 .... :35为了尽量缓解电子在到达集电结之前发生的复合,晶体管的基极区域必须
......
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日期:2024-07-14
In the previous tutorial we saw that the standard Bipolar Transistor or BJT, comes
in two basic forms. An NPN (Negative-Positive-Negative) type and a PNP ......
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日期:2024-07-14
2014年7月29日 ... 雙極面結型晶體管(BJT) 是一種半導體元件,見圖1。它由三個摻雜半導體區域(基極、
集電極和發射極) ......