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日期:2024-07-19
金屬氧化物半導體場效電晶體 (簡稱: 金氧半場效電晶體 ; 英語 : Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor , 縮寫 : MOSFET ),是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為 ......
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日期:2024-07-15
上圖有一片 發電晶片,放在鋁製的散熱片之上。 散熱片的右前方有個小綠點,它是微直流升壓電路。 因為 發電晶片沒有 ......
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日期:2024-07-12
圖二:2007年Intel推出以High K Metal Gate的Penryn晶片(45nm)。 半導體的三國演義 值得注意的是,IBM不僅將移轉45nm的技術給晶圓代工的韓國三星(Samsung)及新加坡特許(Chartered Semiconductor),更將技術賣給了中國的中芯。...
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日期:2024-07-16
Introduction to fabricated Integrated Circuits Semiconductor Material and Device Oxidation and Diffusion ......
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日期:2024-07-18
“電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目: 基板摻雜型態(substrate doping type) ... 計算杜拜電容Cdebye = (2)1/2 s / LD 。 計算平帶電容CFB CFB = [Ci Cdebye]/ [Ci + Cdebye] 。 由CFB 在C-V曲線中對應出平帶電壓 ......
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日期:2024-07-13
自由電子濃度(n) = 電洞濃度(p) = 本質濃度(n i. ) ≅ 1.5 × 1010 (粒/cm3). 共價鍵. 自由電子+電洞對....
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日期:2024-07-19
行動版 - 三種導電性不同的材料比較,金屬的價電帶與導電帶之間沒有距離,因此電子(紅色實心 ... 如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高,半導體也可能會表現出如同金屬導體般(類 .... 代表,公式如下:....
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日期:2024-07-18
金氧半二極體、電晶體及其電性討論 Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件 ... Transcript 1. 金氧半二極體、電晶體及其電性討論 Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件...