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  Chapter 7 電漿的基礎原理 - 義守大學 I-Shou University
  
  電漿的基礎原理 2 目標 • 列出至少三種用到電漿的半導體製程 • 列出電漿中的主要三種碰撞 • 說明平均自由路徑 • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程 • 列出兩 ...
  
  2024-07-11
  
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  電漿輔助化學氣相沉積(PECVD) - 駿佳科技首頁
  
  電漿輔助化學氣相沉積 Model: PECVD-Clip Series Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 規格: 一. 綜合說明: 腔體上蓋板上掀式設計，手動放置晶片, ...
  
  2024-07-07
  
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pecvd電漿的相關公司資訊

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Chapter 7 電漿的基礎原理

日期：2024-07-13

2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......

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微波電漿源技術及應用 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌

日期：2024-07-06

#P#微波電漿原理及發展早於50年代，即有人嘗試，利用微波來產生電漿，當時之設計非常簡單，由於工業界對微波電漿設備之需求，而演變至今多種複雜不同之設計 ......

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大同大學教師資料

日期：2024-07-13

兩性離子共聚單體與與氮-異丙基丙烯醯胺的水凝膠探討大同公司 E10207-T11-081 執行期間：2013-07-01 ~ 2014-06-30 冷電漿聚合研製多層光學薄膜國科會 NSC: 101-2923-E-036-001-MY3 執行期間：2012-01-01 ~ 2014-12-31 利用電漿及接枝聚合表面處理奈米金及 ......

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奇豪電熱有限公司．電漿熔融設備．高精度質量氣氛控制設備．氧化鋁奈米粉末設備．高真空硬焊爐

日期：2024-07-13

．電漿熔融設備．高精度質量氣氛控制設備．氧化鋁奈米粉末設備．高真空硬焊爐．YAG 製程設備．活性碳生產設備．咖啡碳生產設備．高溫熱壓機．耐米碳管設備．隧道式連續燒結爐．各式箱型燒成爐...

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PECVD - NFC奈米中心

日期：2024-07-07

中文名稱電漿輔助化學氣相沉積系統英文名稱 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 儀器廠牌型號 Samco 購置年限 1998 年7月放置地點固態電子系統大樓 1樓 116實驗室 (TEL：55666) 機台狀況重要規格...

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PECVD, Plasma Deposition, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - Technology

日期：2024-07-06

Oxford Plasma Technology: Technology for plasma depostion (PECVD) ... Typical Applications: interlayer dielectric passivation layer optical waveguides mask for ion implantation free standing low stress membranes...

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Chapter 10 化學氣相沉積與介電質薄膜

日期：2024-07-12

9 CVD應用薄膜源材料 Si (多晶) SiH 4 (矽烷) 半導體 SiCl 2H 2 (二氯矽烷；DCS) Si (磊晶) SiCl 3H (三氯矽烷；TCS) SiCl 4 (四氯矽烷；Siltet) LPCVD SiH 4, O 2 SiO 2 (玻璃) PECVD SiH 4, N O 介電質 PECVD Si(OC 2H 5) 4 (四乙氧基矽 ......

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