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![PECVD 電漿Arcing 之改善研究]()
www.google.com.tw2013年9月16日 ... Title: PECVD電漿Arcing之改善研究. On the reduction of the Plasma Arcing in a PECVD Chamber. Authors: 彭元宗. Contributors: 吳宗信.瀏覽：1303 -
![PECVD電漿Arcing之改善研究 - 交通大學學術集成National Chiao ...]()
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日期：2024-07-10
2013年9月16日 ... 题名: PECVD電漿Arcing之改善研究. On the reduction of the Plasma Arcing in a
PECVD Chamber. 作者: 彭元宗. 贡献者: 吳宗信. 关键词: 化學氣 ......
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日期：2024-07-13
2013年9月16日 ... 題名: PECVD電漿Arcing之改善研究. On the reduction of the Plasma Arcing in a
PECVD Chamber. 作者: 彭元宗. 貢獻者: 吳宗信. 關鍵詞: 化學氣 ......
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日期：2024-07-11
本論文主要以晶圓廠中ASM PECVD PETEOS 製程發生之實際問題Plasma Arcing
作題目.PECVD Plasma Arcing 會導致沉積之薄膜產生厚度不均勻之結果，因為 ......
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日期：2024-07-07
本論文旨在探討以電漿輔助化學氣相沈積系統(PECVD)進行非晶形矽氫(a-Si:H)薄膜
沈積於Si及SiO2兩種基板上，其薄膜結構及電性隨基板溫度變化(30-360℃)的 ......
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日期：2024-07-11
沉積厚度與不均勻度控制的理想將可改善PECVD製程之良率。 ... 【11】彭元宗，
PECVD電漿Arcing之改善研究，國立交通大學精密與自動化工程在職班碩士論文，
2005 ......
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日期：2024-07-07
電漿科技已廣泛應用於科學研究及工業製程，成為現代科技的重要指標。 ....
Catalytic CVD主要是利用含碳的氣體在催化金屬表面熱裂解而成長CNT/CNF，而以
電漿之輔助 ... 外，我們亦利用臨場(in situ) 電漿前處理及後處理的方式，來改善其場
發射特性。 ...... Mingdong Li etc., “Study on Arc Movement in the Hollow Electrode
Plasma ......
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日期：2024-07-11
電漿科技已廣泛應用於科學研究及工業製程，成為現代科技的重要指標。本文將介紹
.... Catalytic PECVD) 成長奈米碳管(Carbon Nanotubes, ... CNT/CNF 幾何及微觀
結構，改善場發射特性。CNF ..... Mingdong Li etc., “Study on Arc Movement in the....
瀏覽：1410
日期：2024-07-11
在本論文中，係以感應式耦合電漿化學氣相沉積系統成長氮化矽. 薄膜。研究工作
可以分為兩個部分，首先探討沉積參數，包括ICP 功. 率、Bias 功率、 ... 利用即時沉積
即時處理的方法來改善薄膜品質，期望能成長出含氫量. 低的氮化矽膜。 ..... 或是以電
漿輔助. 化學氣相沉積(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)的....
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