search:si功函數相關網頁資料

      • research.ncku.edu.tw
        ... 橫跨半導體跟金屬界面之間載子的傳輸,例如熱游離跟穿隧,前面這些是發生在當金屬的功函數小於或等於半導體時。對於金屬跟n-type GaN 界面接觸(metal/n-GaN)來說,低的歐姆接觸電阻被認為主要的傳導機制是穿隧效應,尤其是在高摻雜的半導體裡。
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      • tw.knowledge.yahoo.com
        請問一下,為什麼低功函數 的金屬容易與氧結合呢?它的原因是什麼呢?謝謝。 會員登入 新使用者 ... Si 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr 2.59 Ta 4.25 Tb 3 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl 3.84 U 3.63 V 4.3 W 4.55 Y 3.1 Zn 4.33 Zr 4.05 ...
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    日期:2024-08-06
    Si 4.60 – 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr ~2.59 Ta 4.00 – 4.80 Tb 3.00 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl ~3.84 U 3.63 – 3.90 V 4.3 W 4.32 – 5.22 Y 3.1 Yb 2.60 Zn 3.63 – 4.9 Zr 4.05 Physical factors that determine the work function [edit] Due to the complications described...
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    日期:2024-08-08
    功函數(又稱功函、逸出功,英語:Work function)是指要使一粒電子立即從固體表面 中逸出,所必須提供的最小 ......
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    日期:2024-08-03
    SiO2-Si MOS 二極體. 電特性最接近理想MOS二極體。 與理想二極體最大差異:a. 金屬電極與半導體之功函數差qms不為 ......
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    日期:2024-08-06
    為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs,這需要兩個不同金屬閘極,且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV), ......
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    日期:2024-08-03
    為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs,這需要兩個不同金屬閘極,且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV), ......
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    日期:2024-08-09
    第5章 少量矽原子摻雜對鎢金屬功函數的影響(Si...
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    日期:2024-08-07
    (TMSB),源極⁄汲極端之金屬矽化物之厚度(tM)與功函數 ..... and W. Haensch, “ Extreme Scaling with Ultra -Thin Si....
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    日期:2024-08-09
    片的功函數(work function),研究其佈植的種類與其功函數的關. 係、並藉由薄膜材料 中氧缺位導電機制來合理並成功的解釋 ......