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二氧化鋯記憶體元件之特性研究 - 光電科技研究所 - 技术总结 - 道客巴巴
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日期：2024-07-08
二氧化鋯記憶體元件之特性研究 Au Au 余振富a、祐仲a ZrO2 In ZrO2 In a國彰化師範大學光電所 p-type silicon n-type silicon 摘要 本研究用溶膠-凝膠法成長ZrO2薄膜，並藉由其高介電常特性製備陷捕電荷層。用這材 擁有大的陷捕位置，足夠深的陷捕電荷能深，增加 ......看更多
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