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創新STI蝕刻技術助攻 20奈米製程良率大增 - 學技術 - 新電子科技雜誌
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日期:2024-08-20
半導體製程微縮到20奈米後,晶圓溝槽輪廓的深寬比和形狀均勻度變得極為重要,即便是些微的變異都會對良率造成不可忽視的影響,因此業界已開發出新的淺溝槽隔離(STI)電漿蝕刻技術,以克服邊緣溝槽輪廓控制及圖案崩毀等...看更多