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針對同步整流最佳化 中壓功率MOSFET成效卓著 - 技術前瞻 - 新通訊元件雜誌
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日期：2024-07-11
這種方案不僅有助於減小閘極-洩極疊加電容C GD，還能增大漂移區阻抗。此外，它也有利於降低導通阻抗與閘極電荷，因為現在可以一方面通過薄閘極氧化層來獲得更低的V th 與導通阻抗，同時還可以在溝槽底部採用加厚氧化層以獲得最低的C GD。...看更多
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